西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司供應(yīng)西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12

西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)地：德國(guó)

西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品類型：?jiǎn)喂躨gbt

西門(mén)子igbt模塊6SY7000-0AB12產(chǎn)品參數(shù)：1600V  1200A

北京京誠(chéng)宏泰科技銷售SIEMENS西門(mén)子變頻器備件:IGBT模塊，晶閘管，鋁電解電容，變頻器驅(qū)動(dòng)板，勵(lì)磁板，風(fēng)機(jī)，電阻，整流二極管，IGBT逆變單元，硅整流單元，快速熔斷器。

西門(mén)子模塊6SY7000-0AB12

北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司銷售供應(yīng)IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管電容 西門(mén)子模塊6SY7000-0AB12

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對(duì)比

MOSFET全稱功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

• 優(yōu)點(diǎn)：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

• 缺點(diǎn)：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

• 特點(diǎn)：擊穿電壓可達(dá)1200V，集電極最大飽和電流已超過(guò)1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上，工作頻率可達(dá)20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

• 電動(dòng)機(jī)

• 不間斷電源

• 太陽(yáng)能面板安裝

• 電焊機(jī)

• 電源轉(zhuǎn)換器與反相器

• 電感充電器

• 電磁爐

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