如何選擇適合自己應(yīng)用場景的整流二極管模塊？2025/4/30

選擇適合自己應(yīng)用場景的整流二極管模塊，需要考慮以下幾個關(guān)鍵因素：額定電壓工作電壓范圍：首先要明確應(yīng)用場景中的輸入電壓范圍。整流二極管模塊的額定電壓應(yīng)大于實際工作中可能出現(xiàn)的最大反向電壓，一般建議選擇額...

工業(yè)自動化領(lǐng)域：整流二極管模塊的關(guān)鍵角色2025/4/30

在工業(yè)自動化領(lǐng)域，整流二極管模塊猶如幕后的無名英雄，默默地發(fā)揮著關(guān)鍵作用，支撐著整個工業(yè)自動化系統(tǒng)的高效運行。隨著工業(yè)自動化程度的不斷提高，對電力供應(yīng)的穩(wěn)定性、高效性和精確性提出了更高的要求，而整流二...

聊聊IGBT驅(qū)動板2025/3/27

功能驅(qū)動與控制將控制系統(tǒng)的低電壓、低電流邏輯信號轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流驅(qū)動信號，精確控制IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷。支持PWM脈沖調(diào)制，實現(xiàn)開關(guān)頻率可調(diào)，適應(yīng)不同負載需求。電氣隔離隔離式驅(qū)動：采用光耦、磁隔離...

英飛凌二極管有哪些特點及應(yīng)用2025/3/27

產(chǎn)品特點與技術(shù)優(yōu)勢低電壓損耗與高效率Rapid1/2系列：采用低損耗垂直結(jié)構(gòu)和優(yōu)化單元設(shè)計，Rapid1系列正向電壓（VF）低至1.35V，顯著降低導(dǎo)通損耗；Rapid2系列專為40-100kHz高頻...

淺談ELECTRONICON電容的特點和應(yīng)用2024/12/25

一、基本概念電容，全稱為電容器，是一種能夠儲存電荷的元件。它通常由兩個相互靠近但不接觸的導(dǎo)體(稱為極板)以及它們之間的絕緣介質(zhì)組成。當(dāng)兩個極板分別連接到電源的正負極時，極板上的電荷會開始積累，形成電場...

聊聊IGBT模塊2024/12/25

工作原理基于其半導(dǎo)體特性，即非通即斷的開關(guān)特性。在模塊內(nèi)部，搭建起若干個IGBT芯片單元的并串聯(lián)結(jié)構(gòu)。當(dāng)直流電通過模塊時，通過不同開關(guān)組合的快速開斷，來改變電流的流出方向和頻率，從而輸出得到所需的交流...

可控硅模塊在使用中，有哪些注意事項2024/5/28

簡介：是一種半導(dǎo)體器件，具有控制正半周或負半周的導(dǎo)電特性，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中。其基本原理是利用PNPN結(jié)的瞬時性質(zhì)，通過控制晶體管的控制電壓，使其導(dǎo)通或者阻斷。優(yōu)點1.高耐壓：可控硅模塊可以承受較...

ASC風(fēng)電補償電容有哪些注意事項2024/5/28

原理：1.儲存電能：當(dāng)系統(tǒng)中的電力需求低于發(fā)電機的輸出功率時，電容器可儲存多余的電能，以備系統(tǒng)需要時釋放。2.釋放電能：當(dāng)系統(tǒng)中的電力需求超過發(fā)電機輸出功率時，電容器可以快速釋放儲存的電能，以彌補系統(tǒng)...

晶閘管并聯(lián)應(yīng)用要點2024/5/16

我們知道所有并聯(lián)最終我們有個重要目的，就是流過并聯(lián)支路的電流盡量都是相等的，特別是在負溫度系數(shù)的功率器件中更為關(guān)鍵，比如二極管和晶閘管應(yīng)用中。對于整流二極管并聯(lián)，為了使電流均勻分布，對于并聯(lián)的二極管盡...

聊聊西門子緩沖電阻2024/3/1

簡介：緩沖電阻是一種阻值較大的電阻器，主要用于電路中的過渡性連接，作為電路中與電源的接口。緩沖電阻具有較高的電阻值和精度，能夠提供穩(wěn)定的電阻值，使電路能夠正常工作。作用：平衡電壓波動：變頻器控制系統(tǒng)的...

CM200DU-24H三菱IGBT模塊適用于哪些地方2016/6/27

CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通...

IGBT模塊驅(qū)動及保護技術(shù)2016/4/29

1引言IGBT是MOSFET與雙極晶體管的復(fù)合器件。它既有MOSFET易驅(qū)動的特點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點。其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)...

IGBT模塊過流保護的兩種情況介紹2015/9/15

生產(chǎn)廠家對IGBT模塊提供的安全工作區(qū)有嚴格的限制條件，且IGBT模塊承受過電流的時間僅為幾微秒，耐過流量小，因此使用IGBT模塊首要注意的是過流保護。產(chǎn)生過流的原因大致有：晶體管或二極管損壞、控制與...

可控硅與晶閘管的區(qū)別及發(fā)展應(yīng)用2015/8/13

可控硅模塊屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件，又叫做晶閘管，可控硅是簡稱。按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅(SCR)和雙向可控硅(TRIAC)。可控硅也稱作晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體...

IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展2015/4/15

IGBT模塊散熱技術(shù)散熱的過程1IGBT在結(jié)上發(fā)生功率損耗;2結(jié)上的溫度傳導(dǎo)到IGBT模塊殼上;3IGBT模塊上的熱傳導(dǎo)散熱器上;4散熱器上的熱傳導(dǎo)到空氣中。散熱環(huán)節(jié)影響散熱程度影響因數(shù)解決辦法1總發(fā)...

簡單分析晶閘管損壞的原因2014/12/4

晶閘管是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅；1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上*晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個極：陽極，陰極...

IGBT模塊的分類2014/10/9

研發(fā)進展IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在...

富士功率模塊選型簡介2014/7/16

富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本，并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結(jié)構(gòu)。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上，在小功率變頻器...

IGBT原理，作用，運用2013/10/31

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOS...