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          北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司

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          英飛凌IGBT模塊BSM200GB120DN2

          參   考   價(jià): ¥ 888

          訂  貨  量: ≥1件

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號(hào):BSM200GB120DN2

          品       牌: 英飛凌/Infineon

          廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

          產(chǎn)品資料:下載

          所  在  地:北京市

          更新時(shí)間:2024-01-19 11:16:28瀏覽次數(shù):3806

          聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來(lái)自 智能制造網(wǎng)
          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

          北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷售英飛凌IGBT模塊BSM200GB120DN2

          集電極—射極擊穿電壓: 1200 V

          集電極—射極飽和電壓: 3.2 V

          集電極zui大連續(xù)電流 Ic: 200 A

          柵極—射極漏泄電流: 400 nA

          功率耗散: 1.4 KW

          封裝 / 箱體: IS5a ( 62 mm )

          集電極—發(fā)射極zui大電壓 VCEO: 1200 V

          柵極/發(fā)射極zui大電壓: 20 V

          zui大工作溫度: + 125℃

          zui小工作溫度: - 40℃

          適用于電焊機(jī) 感應(yīng)加熱 高頻率等高頻硬開關(guān)

          BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
          BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
          BSM75GB60DLC 75A/600V/2U 
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