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          北京京誠宏泰科技有限公司

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          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          參   考   價(jià): ¥ 1888

          訂  貨  量: ≥1只

          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號(hào):FF800R12KE7

          品       牌: 英飛凌/Infineon

          廠商性質(zhì):經(jīng)銷商

          所  在  地:北京市

          更新時(shí)間:2024-10-14 11:14:41瀏覽次數(shù):1759

          聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 智能制造網(wǎng)
          封裝 AG-62MMHB
          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7
          北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊;可控硅模塊;晶閘管;二極管模塊;整流橋模塊;PLC模塊;電容;變頻器備件
          第七代IGBT英飛凌FF600R12KE7

          英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊;可控硅模塊;整流橋模塊;二極管模塊;晶閘管;IPM模塊

          產(chǎn)品參數(shù):

           

          FF800R12KE7  IGBT 模塊 溝槽型場截止 半橋 1200 V 800 A 底座安裝 AG-62MM 雙低飽和和快速溝槽 IGBT 模塊,

          帶有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和發(fā)射極控制的 7 二極管。

          62 mm 1200 V, 800 A 低飽和壓降的Fast trench IGBT半橋模塊,采用TRENCHSTOP™ IGBT7和發(fā)射極控制第7代二極管。也可提供預(yù)涂導(dǎo)熱介質(zhì)版本。

          638192379783877030282.jpg

          產(chǎn)品規(guī)格:

          IGBT 類型:溝槽型場截止

          配置:半橋

          電壓 - 集射極擊穿:1200 V

          電流 - 集電極 (Ic):800 A

          電流 - 集電極截止:100 µA

          不同 Vce 時(shí)輸入電容 (Cies):122 nF @ 25 V

          輸入:標(biāo)準(zhǔn)

          NTC 熱敏電阻:無

          工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)

          安裝類型:底座安裝

          封裝/外殼:模塊

          供應(yīng)商器件封裝:AG-62MM

          產(chǎn)品特征:

          高功率密度

          的 VCE,SAT

          Tvj op = 175°C 過載

          高爬電距離和電氣間隙

          符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

          4 kV AC 1 分鐘絕緣

          CTI > 400 的封裝

          通過 UL1557 E83336 獲得 UL/CSA 認(rèn)證

          優(yōu)勢:北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          具有更高電流能力的現(xiàn)有封裝,允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

          高功率密度

          避免 IGBT 模塊并聯(lián)

          通過簡化逆變器系統(tǒng)降低系統(tǒng)成本

          靈活性

          高的可靠性

          產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域:

          不間斷電源(UPS)

          儲(chǔ)能系統(tǒng)

          電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)

          商用、建筑和農(nóng)用車輛 (CAV)

          變頻器

          637743823772303523384.png

           

          IGBT是什么?

          IGBT即絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

          IGBT與MOSFET的對(duì)比

          MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個(gè)極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

          優(yōu)點(diǎn):熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

          缺點(diǎn):擊穿電壓低,工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司供應(yīng)英飛凌IGBT模塊FF600R12KE7

          IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個(gè)極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。

          特點(diǎn):擊穿電壓可達(dá)1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達(dá)250kVA以上,工作頻率可達(dá)20kHz。

          IGBT的典型應(yīng)用

          電動(dòng)機(jī)

          不間斷電源

          太陽能面板安裝

          電焊機(jī)

          電源轉(zhuǎn)換器與反相器

          電感充電器

          電磁爐

          637743823599565566542.png

          第七代IGBT型號(hào):

           

          FF900R12ME7P_ B11

          FF450R12ME7_ B11

          FF900R12ME7W_ _B11

          FF900R12ME7_ B11

          FF600R12ME7_ B11

          FF800R12KE7

          FF300R12ME7_ B11

          FF750R12ME7_ _B11

          FF750R17ME7D_ B11

          FF225R17ME7_ _B11

          FF1800R23IE7P

          FF1800R23IE7

           

          FF2400RB12IP7P

          FF2400RB12IP7

          F3L400R10W3S7F_ B11

          F3L600R10W4S7F_ C22

          FS3L200R10W3S7F_ B94

          F3L 400R10W3S7_ _B11

          FS3L200R10W3S7F_ B11

          FP15R12W1T7_ B3

          FP15R12W1T7

          FP15R12W1T7P_ B11

          FP25R12W2T7

          FP50R12W2T7_ B11

          FP25R12W1T7

          FP50R12W2T7

          FP35R12W2T7_ B11

          FP10R12W1T7_ B11

          FP35R12W2T7

          FP25R12W1T7_ B11

          FP25R12W2T7_ B11

          FP15R12W1T7_ _B11

          FP10R12W1T7_ B3 .

          FP15R12W1T7P

          FP100R12W3T7 B11

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