一、使用領(lǐng)域:
IC半導(dǎo)體、LED、Bumping、化合物、光通訊、OLED、MEMS等 Wafer Size 晶圓尺寸：Φ2"-8"
Spin motor主軸轉(zhuǎn)速：0-8000rpm±1rpm
　 Uniformation膜厚均勻性：＜1％(參考AZ1500）
　 Temperation溫度均勻性：0-250℃±0.5℃
MTBF：≥1500小時Uptime：95％

二、涂膠單元 Coater Uint：
膠盤：Teflon，Delrin

　可編程移動式滴膠
　可配3路噴嘴
　正/背面去邊清洗
　主軸電機：伺服電機（高速：8000rpm）
　勻膠溫度控制（選配）
　噴嘴預(yù)清洗（選配）
　環(huán)境溫濕度控制（選配）

三、顯影單元 Developer：

膠盤:Delrin
　 4路噴液（2 spray，1 streaam, 1 Dl water）
　主軸電機：伺服電機（高速：8000rpm）
　背面清洗
　滴液方式：膠泵或壓力罐
　液體溫度控制（選配）
　排風(fēng)控制
　體積尺寸：1400mm（W）×1400mm（D）×1700mm(H)

顯影機理
顯影一詞也用于金屬機身相機（銀鹽照片），在光刻工藝中其含義略有不同。在光刻工藝中，負性光刻膠被光照射，發(fā)生聚合反應(yīng)的部分已經(jīng)是圖像；而正性光刻膠的情況，被光照射的部分
是水溶性的，沒有被光照射的地方不需要通過顯影進行放大處理，就會留下圖形。由于曝光就能產(chǎn)生可見的圖形，因此成為“顯影"。光刻時，負性光刻膠的情況下，顯影是去除沒有發(fā)生聚合反
應(yīng)的部分，正性光刻膠的情況下，顯影是溶解被光照射的部分。
顯影工藝和設(shè)備
負性光刻膠顯影液主要使用二甲苯、乙酸丁酯，正性光刻膠顯影液主要使用氫氧化銨?？傊@影也是一種濕法工藝。正性光刻膠是微細化工藝的選擇，因此，半導(dǎo)體代工廠使用的是正性
光刻膠的顯影設(shè)備，顯影設(shè)備液類似于旋轉(zhuǎn)涂膠機，由于顯影后需要沖洗，故顯影設(shè)備裝配有顯影液和沖洗液噴霧。顯影設(shè)備不是獨立存在的，涂膠機、曝光機、顯影設(shè)備常常需系統(tǒng)化布置，
工藝流程也按照此順序進行，也被稱為連續(xù)化（In-Line）。

前工序是芯片制造的初級階段，包括晶圓加工、光刻、沉積、刻蝕等步驟。形成了晶圓中電路層、絕緣層等各種層。后工序是芯片制造的后期階段，有清洗、電鍍、切割、封裝、測試等步驟。IC設(shè)計是芯片設(shè)計的核心，芯片制造包括晶圓制造和晶圓加工。晶圓制造是用二氧化硅制作單晶硅的過程，包括：拉晶-滾磨-線切割-研磨-腐蝕-熱處理-邊緣拋光-正面拋光-清洗-檢測-外延。晶圓加工是晶圓進行邏輯電路制作的一步，包括：擴散-沉積-光刻-刻蝕-離子注入-拋光-金屬化等。

硅棒生成:硅介于絕緣體和導(dǎo)體間，是半導(dǎo)體的代表。通過摻雜可改變硅的導(dǎo)電性。沙子和碳冶煉形成純度99%的硅，把純硅繼續(xù)加熱成液態(tài)硅，并用細長的單晶硅放入液態(tài)硅中引導(dǎo)提拉，沉積提拉完成后是純度為99.9999%的兩頭呈錐形的晶錠。

晶圓切割：硅棒切割后形成的薄片就是晶圓。晶圓像一個“畫布"有不同的尺寸：75mm(3寸)、100mm（4寸）、125mm（5寸）、150mm（6寸）、200mm（8寸）、300mm（12寸）。

晶圓研磨：晶圓使用前進行打磨后形成一層氧化膜的過程稱晶圓研磨。

光刻工藝：光刻類似于在“畫布"上畫畫，是芯片制造過程中精密步驟之一，是根據(jù)芯片設(shè)計圖在晶圓表面畫出實際電路圖的過程。光刻工藝被用來制作光刻膠線條。首先，化學(xué)或機械方法去除硅片表面污染物。清洗和表面預(yù)處理后利用增粘劑（HMDS）進行底膜處理，有利于增強光刻膠的粘附性。之后是晶圓涂膠，是在晶圓表面涂一層光刻膠。旋涂將液相光刻膠旋涂到硅片表面。通過調(diào)整轉(zhuǎn)速和光刻膠黏度可調(diào)整光刻膠厚度。前烘是烘焙的步驟之一，作用是去除光刻膠中的溶劑，有利于提高硅片和光刻膠間的黏附性。曝光是投影光刻機產(chǎn)生的像轉(zhuǎn)移到光刻膠內(nèi)的步驟，掩膜版圖的透光區(qū)與光刻膠曝光區(qū)域有關(guān)且曝光區(qū)域的光刻膠性質(zhì)會發(fā)生改變。曝光后的光刻膠需要再次烘焙，稱曝光后烘（PEB）,PEB具體功能取決于光刻膠類型和其他工藝要求。PEB可觸發(fā)某些化學(xué)反應(yīng)，也可去除溶劑，并加速光刻膠內(nèi)物質(zhì)擴散，平滑光刻膠輪廓。顯影是將曝光的和化學(xué)改性后的光刻膠浸入顯影液中進行顯影。顯影結(jié)果與光刻膠極性有關(guān)，正性被曝光和化學(xué)改性的部分在顯影過程中移除，負膠相反，未被曝光的被顯影液移除。

蝕刻：離子束對晶圓轟擊，芯片設(shè)計圖可復(fù)制在晶圓表面。

離子注入：離子注入可改變硅導(dǎo)電性，晶圓上形成二極管、三極管、電阻等。

電鍍：晶圓表面鍍銅，完成電路圖晶體管間的連接。

化學(xué)機械拋光：拋光掉多余的銅，晶圓表面磨光、若需芯片有多層電路，可反復(fù)重復(fù)光刻到最后拋光的過程，可以得到一個布滿各層電路的晶圓。

晶圓切割：晶圓切成一個個獨立芯片的過程。

晶圓封裝：每一個切割后的芯片封裝，一個完整的芯片就誕生了！

關(guān)鍵詞：顯影機涂膠機晶體管伺服電機

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