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日本DNK科研曝光機(jī)MA-5301ML光刻機(jī)

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光刻機(jī) 曝光機(jī)
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產(chǎn)品簡介

簡單介紹：主要特長搭載本公司開創(chuàng)的鏡面光學(xué)系統(tǒng)爆光燈房（LAMP HOUSE）。從而實(shí)現(xiàn)了照射面內(nèi)的均勻性以及高照度。采用本公司開創(chuàng)的同軸對(duì)位方式和高速圖像處理技術(shù), 從而實(shí)現(xiàn)了高精度對(duì)位。還支持IR方式和背面方式。通過本公司開創(chuàng)的光學(xué)式間隙傳感器，可在非接觸狀態(tài)下高速、精的設(shè)定掩膜和基板間的近接間隙。搭載有掩膜更換機(jī)。*多可自動(dòng)更換20張掩膜。*多可搭載3臺(tái)片倉（Load port）。

詳細(xì)介紹

詳情介紹：

光刻機(jī)介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規(guī)格

	MA-5301ML
Wafer尺寸	?300ｍｍ
對(duì)位	非接觸預(yù)對(duì)位～自動(dòng)對(duì)位
光源	超高壓水銀燈：3.5kW
本體尺寸	W 2450 × D 2400 × H 2300 mm