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北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司
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擴(kuò)展電阻測(cè)試儀
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訪問(wèn)次數(shù)：268更新時(shí)間：2020-07-15 15:38:50
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
型號(hào)：進(jìn)口
擴(kuò)展電阻法是利用特殊的點(diǎn)接觸金屬探針，沿著樣品的表面 ，以微小的步進(jìn)測(cè)出半導(dǎo)體材料或器件表面的每一點(diǎn)的擴(kuò)展電阻值，由此得到電阻、電阻率和載流子濃度（摻雜雜質(zhì)濃度）及其分布的一種測(cè)量技術(shù)。
產(chǎn)品介紹
擴(kuò)展電阻測(cè)試儀
型號(hào)：進(jìn)口
擴(kuò)展電阻法是利用特殊的點(diǎn)接觸金屬探針，沿著樣品的表面 ，以微小的步進(jìn)測(cè)出半導(dǎo)體材料或器件表面的每一點(diǎn)的擴(kuò)展電阻值，由此得到電阻、電阻率和載流子濃度（摻雜雜質(zhì)濃度）及其分布的一種測(cè)量技術(shù)。
本儀器適用于檢測(cè)P型和N型硅單晶微電阻率均勻性，檢測(cè)擴(kuò)散層的微區(qū)電阻率變化也可用于硼磷擴(kuò)散工藝的監(jiān)控，同時(shí)該儀器還可以測(cè)量銻化銦、砷化鎵濃度的相對(duì)變化量 。
應(yīng)用實(shí)例
■ 硅晶體電阻率微觀均勻性的測(cè)量
■ 硅晶體中氧濃度及其分布的測(cè)量
■ 硅晶體離子注入層的測(cè)量
■ 硅外延層厚度和載流子濃度的測(cè)試
■ 硅pn結(jié)和器件結(jié)構(gòu)的測(cè)試
■ 硅晶體中雜質(zhì)擴(kuò)散特性的測(cè)試
■ 硅晶體離子注入層的測(cè)量
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