BOE濕法刻蝕機(jī)是一款專為半導(dǎo)體硅片表面氧化層精準(zhǔn)腐蝕設(shè)計的設(shè)備，基于BOE溶液（緩沖氧化物刻蝕液，主要成分為HF與NH?F）對二氧化硅（SiO?）的高選擇性腐蝕特性，通過化學(xué)濕法工藝實(shí)現(xiàn)納米級可控加工。該設(shè)備采用自動化控制系統(tǒng)，具備精確的溫度控制（±0.5℃）、時間調(diào)控及化學(xué)溶液自動混合與更換功能，確?？涛g過程的穩(wěn)定性和重復(fù)性。

其核心優(yōu)勢包括：

高效均勻刻蝕：通過槽內(nèi)勻流板與循環(huán)泵設(shè)計，實(shí)現(xiàn)腐蝕液的動態(tài)流動，減少氣泡附著問題，提升硅片表面氧化層去除的均勻性（厚度誤差<±3%），避免傳統(tǒng)靜態(tài)腐蝕導(dǎo)致的局部腐蝕不凈或染色缺陷。

精準(zhǔn)工藝適配：支持6-12吋晶圓批處理，兼容光刻膠保護(hù)工藝（如BN308膠），可在40±2℃恒溫條件下完成有源區(qū)圖形化刻蝕，刻蝕速率與液溫、濃度實(shí)時聯(lián)動，滿足制程對線寬精度的嚴(yán)苛要求。

環(huán)保與低成本：采用閉式循環(huán)系統(tǒng)，藥液消耗量降低30%，廢液回收率達(dá)85%以上，同時避免干法刻蝕的高設(shè)備成本與復(fù)雜維護(hù)需求，單片加工成本顯著低于等離子體刻蝕方案。

多功能集成：集成溢流槽液位監(jiān)測、超聲波輔助除泡及去離子水噴淋清洗模塊，支持SC-1/SC-2等多道工序聯(lián)機(jī)處理，適用于光刻后顯影、刻蝕及最終清洗全流程。

BOE濕法刻蝕機(jī)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體前道制造（如光刻膠去除、淺溝槽隔離TSV預(yù)處理）及MEMS傳感器生產(chǎn)，尤其在小尺寸芯片（如功率器件、射頻元件）的精細(xì)圖形化中表現(xiàn)突出，可有效提升良品率至99.9%以上，是低成本、高可靠性濕法工藝的理想選擇。