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IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備

參考價(jià)	￥ 1000
訂貨量	≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng)武漢普賽斯儀表有限公司
品牌普賽斯儀表
型號(hào)PMST-3500V
所在地武漢市
廠(chǎng)商性質(zhì)生產(chǎn)廠(chǎng)家
更新時(shí)間2024/10/24 9:41:07
訪(fǎng)問(wèn)次數(shù)231

產(chǎn)品標(biāo)簽:

半導(dǎo)體器件功率分析儀功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)功率器件測(cè)試系統(tǒng)半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司，一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售，致力于滿(mǎn)足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì)，公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表，以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì)，廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用；為客戶(hù)提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶(hù)構(gòu)建自定義解決方案，同時(shí)滿(mǎn)足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)模化的挑戰(zhàn)。

普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表，可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓，支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商，普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野，推出的產(chǎn)品已被國(guó)內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用，是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠(chǎng)商。未來(lái)，公司將繼續(xù)以“為客戶(hù)提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨，朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。

展開(kāi)顯示更多內(nèi)容

數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備產(chǎn)品信息

SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

新能源汽車(chē)受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)最大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對(duì)象.以下五類(lèi)細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來(lái)的核心潛力領(lǐng)域:

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備

800V架構(gòu)帶來(lái)的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動(dòng)新能源汽車(chē)成為SiC未來(lái)5年核心應(yīng)用陣地。

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備

SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)

近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán)、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。

隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要。通常，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流I CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)）等。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片，需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下，對(duì)芯片的可靠性要求較高，這給測(cè)試帶來(lái)了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線(xiàn)或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

普賽斯IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備解決方案

PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng)，是一款能夠提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿(mǎn)足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專(zhuān)家。

針對(duì)用戶(hù)不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線(xiàn)半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線(xiàn)全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。

從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線(xiàn)的全覆蓋

從Si IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到IPM的全覆蓋

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、高電壓、大電流

具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（最大可擴(kuò)展至10kV）

具有大電流測(cè)量/輸出能力，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）

2、高精度測(cè)量

納安級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻

0.1％精度測(cè)量

四線(xiàn)制測(cè)試

3、模塊化配置

可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間，后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元

4、測(cè)試效率高

內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元

支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

5、軟件功能豐富

上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板，可直接調(diào)取使用

支持曲線(xiàn)繪制

自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開(kāi)放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集，可與第三方系統(tǒng)集成

6、擴(kuò)展性好

支持常溫及低溫、高溫測(cè)試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺(tái)，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備特色與性能優(yōu)勢(shì)

1、大電流輸出響應(yīng)快，無(wú)過(guò)沖

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能脈沖式大電流源、高壓源，輸出建立過(guò)程響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。測(cè)試過(guò)程中，大電流典型上升時(shí)間為15μs，脈寬在50~500μs之間可調(diào)。采用脈沖大電流的測(cè)試方式，可有效降低器件因自身發(fā)熱帶來(lái)的誤差。

2、高壓測(cè)試支持恒壓限流，恒流限壓模式

采用自主開(kāi)發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開(kāi)響應(yīng)快、無(wú)過(guò)沖。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值，防止器件因過(guò)壓或過(guò)流導(dǎo)致?lián)p壞。

IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備