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          SMU源表搭建半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗平臺

          2024年05月29日 14:19:05人氣:302來源:武漢普賽斯儀表有限公司

           本科生微電子器件及材料實驗?zāi)康?/strong>

          通過實驗動手操作,加深對半導(dǎo)體物理理論知識的理解,掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實驗技能,培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。


          本科生微電子器件及材料實驗?zāi)夸?/strong>
          實驗一:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性IV特性測試實驗
          實驗二:四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗
          實驗三:        MOS電容的CV特性測試實驗
          實驗四:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗實驗
          實驗五:激光二極管LD的LIV特性測試實驗
          實驗六:太陽能電池的特性表征實驗


          本科生微電子器件及材料實驗測試平臺優(yōu)勢
          滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實驗中微電子器件和材料測試需求
          測試設(shè)備簡單易用,專業(yè)全,方便學(xué)生動手操作
          核心設(shè)備測試精度高,滿足新材料和新器件的指標(biāo)要求
          測試軟件功能齊全,平臺化設(shè)計,有專人維護(hù)支持,與專業(yè)測試軟件使用相同架構(gòu)
          以基礎(chǔ)平臺為起點,可逐步升級,滿足日益增加的實驗室測試需求


          本科生微電子器件及材料實驗測試平臺基本功能

          實驗名稱

          測試參數(shù)

          金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管特性的IV特性測試實驗

          輸出特性曲線

          轉(zhuǎn)移特性曲線

          跨導(dǎo)gm

          擊穿電壓BVDS

          四探針法測量半導(dǎo)體電阻率測試實驗

           

          四探針法電阻率ρ

          材料阻值R

          MOS電容的CV特性測試實驗(低頻 +                                           高頻)

          CV特性曲線

          半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測試實驗

          霍爾電壓VH

          霍爾電阻率ρ

          霍爾系數(shù)RH

          載流子濃度n

          霍爾遷移率u

           

          激光二極管LDLIV特性測試

           

          LIV特性曲線

          閾值電流Ith

          閾值電流對應(yīng)電壓值Vth

          拐點Kink

          線性電阻Rs

          太陽能電池的特性表征

           

          開路電壓Voc

          短路電流Isc

          功率最大值Pmax

          填充因子FF

          轉(zhuǎn)換效率η

          串聯(lián)電阻Rs

          旁路電阻Rsh




          本科生微電子器件及材料實驗測試平臺核心

          測試平臺的核心– 源測量單元(源表, SMU)

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          普賽斯國產(chǎn)源表四表合一 四象限模式
          四線/開爾文測試功能
          小信號測試
          滿足先進(jìn)器件和材料測試需求


          交流測試使用LCR表



          探針臺:4寸或6寸手動探針臺


           



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