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          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表

          參考價(jià) 1000
          訂貨量 ≥1臺(tái)
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
          • 品       牌普賽斯儀表
          • 型       號(hào)S200
          • 所  在  地武漢市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2024/8/15 9:20:38
          • 訪問次數(shù)222
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                武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

                基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

          普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的嶺跑者邁進(jìn)。




          數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
          傳統(tǒng)的二線制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差,降低MEMS芯片控溫的精準(zhǔn)度。材料測(cè)試所能承受的電流超小,低至nA甚至pA,測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。武漢普賽斯數(shù)字源表具有測(cè)試精度高,微弱信號(hào)檢測(cè)能力強(qiáng)的特點(diǎn),可夠根據(jù)用戶測(cè)試需求配置高效,高性價(jià)比的納米材料測(cè)試方案,可廣泛應(yīng)用在納米材料,傳感器,半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品的研發(fā),生產(chǎn)領(lǐng)域;納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表 產(chǎn)品信息

          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表方案

          通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)通過MEMS芯片在原位樣品臺(tái)內(nèi)對(duì)樣品構(gòu)建精細(xì)熱場(chǎng)自動(dòng)調(diào)控及反饋測(cè)量系統(tǒng),并結(jié)合TEM/SEM研究材料在不同熱場(chǎng)條件下發(fā)生結(jié)構(gòu)相變、形貌變化、物性變化以及電性變化等關(guān)鍵信息。

          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表

          測(cè)試面臨的挑戰(zhàn):

          傳統(tǒng)的二線制電阻測(cè)量方式容易引入附加誤差,降低MEMS芯片控溫的晶準(zhǔn)度。材料測(cè)試所能承受的電流超小,低至nA甚至pA,測(cè)試設(shè)備需要具備小電流的測(cè)量能力。

          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表


          普賽斯S/P系列源表為原位表征提供晶準(zhǔn)熱場(chǎng)控制及電性能測(cè)量:
          標(biāo)配四線制測(cè)量端口;
          提供多個(gè)電流量程,量程越低,精度越高;
          蕞低1pA電流分辨率,源測(cè)精度高達(dá)0.03%。納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢

          納米材料高溫原位表征及測(cè)試數(shù)字源表





          武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn),市場(chǎng)應(yīng)用率高;SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A,蕞大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方,歡迎隨時(shí)咨詢!


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