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軌道交通用IGBT檢測儀

參考價	￥ 1
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌其他品牌
型號HUSTEC-160
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2024/7/17 10:29:05
訪問次數(shù)167

產(chǎn)品標簽:

IGBT測試儀 IGBT測試設備半導體靜態(tài)參數(shù)測試靜態(tài)參數(shù)測試儀軌道交通用IGBT檢測儀

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，功率循環(huán)，雪崩及浪涌測試設備，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等，客戶行業(yè)涉及軌道交通，地鐵，電驅(qū)動，新能源汽車，風力發(fā)電，變頻器，家電等領域；華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學，復旦大學等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導體事業(yè)，積極響應國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導體測試設備國產(chǎn)化。

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igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀，10us浪涌電流測試儀，分立器件測試儀，柵極電阻/電容測試儀

產(chǎn)品簡介在線詢價

設備尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）mm	質(zhì)量	30kg
海拔高度	海拔不超過 1000m	儲存環(huán)境	-20℃～50℃
工作環(huán)境	15℃～40℃	相對濕度	20%RH ~ 85%RH
大氣壓力	86Kpa～ 106Kpa	防護	無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害
用電要求	AC220V，±10%	電網(wǎng)頻率	50Hz±1Hz

華科智源軌道交通用IGBT檢測儀，測試二極管、IGBT，MOS管，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測試1600A，5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，變頻器，焊機等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。

軌道交通用IGBT檢測儀產(chǎn)品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

軌道交通用IGBT檢測儀

一：軌道交通用IGBT檢測儀主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發(fā)電，變頻器，焊機行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試；

參數(shù)：

ICES 集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

二：應用范圍

A：IGBT單管及模塊，

B：大功率場效應管（Mosfet）

C：大功率二極管

D：標準低阻值電阻

E：軌道交通，風力發(fā)電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

三、特征：

A：測量多種IGBT、MOS管

B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；

C：脈沖寬度 50uS~300uS

D：Vce測量精度2mV

E：Vce測量范圍>10V

F：電腦圖形顯示界面

G：智能保護被測量器件

H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）

L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

序號	測試項目	描述	測量范圍	分辨率	精度
1	VF	二極管正向?qū)▔航?/p>	0~20V	1mV	±1%,±1mV
2	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
3	IF	二極管正向?qū)娏?/p>	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
4	Vces	集電極-發(fā)射極電壓	0~5000V	1V	±1%,±1V
5	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	≤200A時,0.1A	≤200A時,±1%±0.1A
6	Ic	通態(tài)集電極電流	0~1200A	＞200A時,1A	＞200A時,±1%
7	Ices	集電極-發(fā)射極漏電流	0~50mA	1nA	±1%,±10μA
8	Vgeth	柵極-發(fā)射極閾值電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
9	Vcesat	集電極-發(fā)射極飽和電壓	0~20V	1mV	±1%,±1mV
10	Igesf	正向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
11	Igesr	反向柵極漏電流	0~10uA	1nA	±2%,±1nA
12	Vges	柵極發(fā)射極電壓	0~40V	1mV	±1%,±1mV