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          IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)

          參考價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
          • 品       牌
          • 型       號(hào)
          • 所  在  地深圳市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時(shí)間2020/3/10 17:07:59
          • 訪問次數(shù)519
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             深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測(cè)試分析服務(wù)的*,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測(cè)準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測(cè)儀,MOS管直流參數(shù)測(cè)試儀,MOS管動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀,在線式檢修用IGBT測(cè)試儀,變頻器檢修用IGBT測(cè)試儀,IGBT模塊測(cè)試儀,軌道交通檢修用IGBT測(cè)試儀,風(fēng)力發(fā)電檢修用IGBT測(cè)試儀,產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測(cè)試范圍等競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)、制造、封裝廠商及高校研究所等;
              華夏神州,科技興國,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長;華科智源公司 核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè),積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
              深圳華科智源科技有限公司-,功率器件測(cè)試方案供應(yīng)商,2025中國制造 • 芯片設(shè)計(jì)及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

          首件檢測(cè)儀,首件檢測(cè)系統(tǒng),SMT智能首件檢測(cè)儀,首樣檢測(cè),首板確認(rèn)
          IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。
          IGBT測(cè)試儀系統(tǒng) 產(chǎn)品信息

          IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)可以用在電動(dòng)汽車電控的測(cè)試,

          1、 測(cè)試關(guān)斷時(shí)CE之間耐壓和漏電流,測(cè)試電壓條件為VGE=0V,VCE=700V。

          2、 測(cè)試反向二極管導(dǎo)通時(shí)EC之間壓降,測(cè)試條件為VGE=0V,IEC=250A

          3、 測(cè)試導(dǎo)通時(shí)CE之間壓降,測(cè)試條件為VGE=15V,ICE=500A

              華科智源地鐵高鐵軌道交通檢修可用IGBT測(cè)試儀,可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與原出廠指標(biāo)比較,由此來判定元件的好壞或退化的百分比。每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用; 可選購?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)5KV。

          IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)參數(shù)

               參數(shù)條件:

           

          IGBT開通特性測(cè)試  

          IGBT關(guān)斷特性測(cè)試 

          測(cè)試氣動(dòng)夾具

          測(cè)試參數(shù)

           

          開通延遲  tdon

          10-1000ns±5%±10ns
          Tj=25ºC和125 ºC

          關(guān)斷延遲tdoff

          10-2000ns±5%±10nS
          Tj=25ºC和125 ºC

          壓    力: 
          5000PA的品牌空壓機(jī)供氣。 
          控溫范圍: 
          25℃~200℃ 
          控溫精度: 
          ±1.0℃±1% 
          器件接觸: 
          20 個(gè)探針的接觸矩陣

          上升時(shí)間 tr

          10-1000ns±5%±10ns
          Tj=25ºC和125 ºC

          下降時(shí)間tf

          10-2000ns±5%±10nS
          Tj=25ºC和125 ºC

          開通能量 Eon

          1-1000mJ±5%±0.1mJ
          Tj=25ºC和125 ºC

          關(guān)斷能量Eoff

          1-1000mJ±5%±0.1 mJ
          Tj=25ºC和125 ºC

          測(cè)試條件

          集電極電壓 Vce

          50-3500V±5%
          根據(jù)用戶要求定制

          集電極電壓Vce

          50-3500V±5%
          根據(jù)用戶要求定制

          集電極電流Ice

          50-1500A±5%
          根據(jù)用戶要求定制

          集電極電流Ice

          50-1500A±5%
          根據(jù)用戶要求定制

          負(fù)載 L

          20-1000uH

          L負(fù)載

          20-1000uH

          柵極電壓 Vge

          ±15V±3%±0.2V

            

          短路測(cè)試Sct

          一次短路 / 脈寬10uS / 短路電流10KA

          二極管反向恢復(fù)Drr

          反向恢復(fù)電流 / 反向時(shí)間 / 反向di / dt

           

          關(guān)鍵詞:IGBT
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