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          igbt靜態(tài)測試設(shè)備報價

          參考價 1000
          訂貨量 ≥1
          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
          • 公司名稱武漢普賽斯儀表有限公司
          • 品       牌普賽斯儀表
          • 型       號PMST-3500V
          • 所  在  地武漢市
          • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
          • 更新時間2023/5/25 9:28:35
          • 訪問次數(shù)459
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          聯(lián)系我們時請說明是 智能制造網(wǎng) 上看到的信息,謝謝!

                武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

                基于普賽斯電子嶺先的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

          普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺跑的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨圖和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的嶺跑者邁進。




          數(shù)字源表,脈沖恒流源,脈沖恒壓源,高壓源,大功率激光器老化系統(tǒng),功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)
          普賽斯功率器件靜態(tài)測試設(shè)備集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點,igbt靜態(tài)測試設(shè)備報價找普賽斯儀表
          igbt靜態(tài)測試設(shè)備報價 產(chǎn)品信息

          igbt靜態(tài)測試設(shè)備特點和優(yōu)勢:

          單臺Z大3500V輸出;

          單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大4000A;

          15us的超快電流上升沿;

          同步測量;

          國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試;

          可定制夾具;

          納安電流和uΩ級電阻測量;

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          系統(tǒng)簡介 

          普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、納安級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容  、反向傳輸電容等。

          普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設(shè)計測試方法    靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。igbt靜態(tài)測試設(shè)備報價找普賽斯儀表專員為您解答


          系統(tǒng)組成

          普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關(guān)通訊、測試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

          測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計,測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至皮安級漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz。

           

          系統(tǒng)特點

          高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);  
          大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
          高精度:支持uΩ級導(dǎo)通電阻、納安級漏電流測試;
          豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
          配置導(dǎo)出:支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
          數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出:支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,亦可一鍵導(dǎo)出;
          模塊化設(shè)計:內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,可自由配置,方便維護;
          可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
          可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);


          測試夾具

          針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

          整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。

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          測試項目

          集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
          集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
          柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
          輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
          續(xù)流二極管壓降Vf
          I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等


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