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          飛行時間二次離子質(zhì)譜儀2

          參考價面議
          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱束倫(上海)技術(shù)服務(wù)有限公司
          • 品       牌
          • 型       號ToFSIMS5-1
          • 所  在  地
          • 廠商性質(zhì)其他
          • 更新時間2022/12/21 10:30:08
          • 訪問次數(shù)367
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          飛行時間二次離子質(zhì)譜儀2
          飛行時間二次離子質(zhì)譜儀2 產(chǎn)品信息

          性能指標

          質(zhì)量分辨率:29Si>12000,在m/z>200附近可以達17000以上;檢測極限:ppm~ ppb級;質(zhì)量范圍:~12000;檢測范圍:所有元素(含H、He)及同位素;橫向分辨率<70nm, 深度分辨率<1nm

          主要應(yīng)用

          譜圖檢測、化學成分成像及深度剖析測試,可應(yīng)用于分析有機、無機、納米材料(特別是半導體、電池材料)、微電子、生物醫(yī)學、地質(zhì)/考古、冶金、環(huán)境、人工智能等固體材料。 納米尺度下,對固體材料、生物組織或細胞進行化學成像分析;半導體材料痕量雜質(zhì)分析(ppm至ppb);薄膜樣品三維空間尺度化學成分分布及成像。

          樣品要求

          1、不能被測試的樣品種類: 放射性的樣品;真空中會釋放大量氣體、尤其釋放的氣體對不銹鋼具有腐蝕性的樣品,比如可以釋放出HCl+H2O,有化學毒性和生物毒性的樣品;低熔點樣品,如松香等,高密度束流濺射后可能會熔化;在制樣過程中容易快速潮解的樣品。

          2、樣品物性/外形/尺寸

          (1)固體樣品(導體、半導體和絕緣體)。其中薄膜、片狀、塊體:長×寬尺寸約10 mm × 10 mm~12 mm × 12 mm,厚度不大于5mm;

          (2)盡量保持樣品上下表面平整(尤其待測面,越平整越好);

          (3)粉末樣品壓片后送樣。壓片時使用清潔的鋁箔包裹粉末樣品,以避免在加壓過程樣品表面被污染,壓片后的尺寸要求見(1)條。

          (4)通過溶液涂膜方法制備薄膜樣品時,使用表面平整的導體或半導體作為襯底,例如:Si片, 鍍金的Si片,或銀片等。

          3、送樣時注意事項

          (1)送樣時,請附上打印的預約單及送樣記錄單;

          (2)待測試的樣品表面不能被沾污(如手摸拿,碰觸污染物等,制樣及裝樣過程中均需注意),所有樣品在送樣之前必須提前進行真空干燥或者冷凍干燥;

          (3)樣品中不得含有乙酸乙酯、氯仿、二氯甲烷、苯、環(huán)己烷、DMSO等有機試劑;

          (4)易被氧化或易吸水樣品,在送樣過程中應(yīng)注意隔離空氣(如放保干器, 或高純Ar氣袋 ),或事先與我們聯(lián)系,商量解決辦法;

          (5)用帶蓋的玻璃小試管、小容量瓶等容器裝樣;不要直接使用塑料容器、塑料袋、含硅的膠帶或膠面和紙袋,以免硅樹脂或纖維污染樣品表面。也可以使用干凈的鋁箔直接包裹樣品后放入干凈的玻璃器皿中送樣;

          (6)如果高分子材料中含有殘余的揮發(fā)性有機試劑分子或小分子單體,務(wù)必先行在真空烘箱中抽除這些物質(zhì)。如果樣品置入ToF-SIMS預抽真空腔體內(nèi),經(jīng)過一夜抽真空后依然無法抽至1e-7mbar以下,該樣品的測試將被取消;

          (7)對薄膜、片狀、塊體樣品標記出測試面;千萬注意:不能使用墨水筆在樣品上標記測試面,以免墨水中的有機試劑污染待測樣品表面?。?!對于金屬或半導體,高分子材料片狀,建議使用刀片或金剛石刻刀在不測的一面畫"+"字; 另外,樣品袋上要用標簽紙標上預約人姓名;

          (8)寫明分析測試的要求,如待測成分,送樣信息等(見送樣記錄單),如果樣品有易變性(如被氧化,吸附等),易熔化等情況應(yīng)說明清楚(可在送樣記錄單中說明);

          (9)初次實驗需要決定分析條件情況,送樣者若能到場,可能有助于測試的進行。 

          儀器說明

          儀器名稱:飛行時間二次離子質(zhì)譜儀;

          生產(chǎn)廠家:德國ION-TOF GmbH

          儀器型號:TOF SIMS 5 配備高效電子中和槍,可精確分析絕緣材料;分析源配備Bi源分析槍(LMIG)及氬原子團簇離子槍(GCIB),濺射源配備O源、Cs源及GCIB。

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