華大單片機HC32F4xx系類（HC32F460 HC32F4A0）可以運行200Mhz，但內(nèi)部Flash在 CPU運行頻率達到33M后，就需要加入不同的等待周期。
所以實際程序在內(nèi)部FLash內(nèi)運行時，是跟不上CPU速度，也就不能達到高運行速度200Mhz。
如下圖：可以看到在200Mhz時，讀Flash中的指令需要等待5個CPU時鐘周期，那大概200M運行時實際CPU能夠跑到不到40Mhz。

那怎么能夠使程序運行的快，跑出實際CPU的頻率呢？
兩種方法：
1.理所應當想到的一種方法就是把關(guān)鍵程序或需要運行速度的代碼搬到SRAM內(nèi)運行。
   這個方法不在本貼討論范圍內(nèi)，不過原理和細節(jié)都不太復雜。
   這里提醒以下兩點，具體做法也不難，不管是誰家的MCU這種SRAM內(nèi)運行的方法都是一樣的。
   1）只需要注意中斷向量表要重映射到SRAM中，如果想把中斷搬運到SRAM中運行的話。
   2）還有一點是，搬運到SRAM內(nèi)運行的代碼如果有調(diào)用Flash內(nèi)代碼的，也是會影響速度。需要再把調(diào)用鏈上所有代碼一同搬運到SRAM內(nèi)。

2.就是在華大HC32Fxx系列MCU內(nèi)，有一個1K大小的FLash Cache，可以使運行FLash內(nèi)的代碼加速，或讀取Flash內(nèi)數(shù)據(jù)加速。
  使運行在Flash內(nèi)的代碼執(zhí)行速度和CPU速度同頻。當然，既然是讀的cache，那么如果CPU沒有命中cache中的內(nèi)容，還是會從Flash中取數(shù)據(jù)和指令的。
   所以在整個程序運行期間 cache起到了加速作用，而不能認為每個運行時段程序運行的速度都會和CPU一致。
 

如果HCLK是200Mhz,那么使能cache后,可以加速程序運行速度到200Mhz。
（千萬別認為程序每時每刻都運行在200M,所以也不要用忙等待的方式做延時函數(shù)，建議使用systick做忙等待延時函數(shù)）

我做了一個試驗，測試一段代碼運行時在不開啟cache和開啟cache的運行表現(xiàn):

測試的這段代碼：

運行結(jié)果：
無cache時flash_run_performance_test函數(shù)使用了728023個10ns（10納秒），
有cache時flash_run_performance_test函數(shù)使用了259880個10ns。
大家可以計算出測試函數(shù)花的時間，有cache時和無cache時速度的對比，是多少倍。

總結(jié)下：就是華大HC32F4XX系列ARM cortex-M4的這顆MCU速度還是不錯的。