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          產(chǎn)品|公司|采購|資訊

          華大電子MCU CIU32L061x8存儲器(Flash)二

          參考價 5000
          訂貨量 ≥1
          具體成交價以合同協(xié)議為準
          • 公司名稱沈陽芯碩科技有限公司
          • 品       牌
          • 型       號
          • 所  在  地沈陽市
          • 廠商性質(zhì)代理商
          • 更新時間2023/3/7 9:36:15
          • 訪問次數(shù)574
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          沈陽芯碩科技有限公司成立于2020年,公司總部位于沈陽。隨著公司業(yè)務的擴大,在深圳,廣州,寧波,青島等均設有銷售分支,團隊成立至今一直致力于集成電路產(chǎn)品的市場推廣。

          公司集銷售,技術服務,技術開發(fā)于一體,為客戶提供解決方案與技術服務。目前,公司涉足的主要領域包括消防,家電,汽車電子,電力系統(tǒng),儀器儀表等。


          消防,家電,汽車電子,電力系統(tǒng),儀器儀表等
          Flash 存儲器在執(zhí)行擦除操作時,不能同時進行讀取操作,需要等待存儲器完成 擦除操作后,讀取操作才能正常進行,擦除完成后的 Flash 數(shù)據(jù)為全 1。
          華大電子MCU CIU32L061x8存儲器(Flash)二 產(chǎn)品信息

          5.3.5 User flash 區(qū)擦除操作

          User flash 區(qū)支持以下擦除方式:

          l 頁擦除(512 字節(jié))

          l 塊擦除(16KB

          l 批量擦除(128KB

          Flash 存儲器在執(zhí)行擦除操作時,不能同時進行讀取操作,需要等待存儲器完成 擦除操作后,讀取操作才能正常進行,擦除完成后的 Flash 數(shù)據(jù)為全 1。

          5.3.5.1 User flash 區(qū)頁擦除步驟

          User flash 區(qū)進行頁擦除操作(512 字節(jié)),可遵循以下步驟:

          1) 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器(FLASH_SR中的 BSY 標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作;

          2) 檢查 FLASH_SR 寄存器,確認錯誤標志均已清除;

          3) 解鎖 Flash 控制寄存器(FLASH_CR,使 LOCK 位清 0;(詳見:Flash 控 制寄存器解鎖

          4) 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 01,進入頁擦除模式;

          5) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[7:0]位域,選擇待擦除區(qū)域的頁號;

          6) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1,啟動 Flash 擦除,同時 BSY 標志將自動置 1

          7) 查詢并等待 BSY 標志清 0,表明擦除操作已完成,此時 ERASE 位也將自 動清 0;

          8) 如果要對多個頁執(zhí)行擦除操作,可重復執(zhí)行步驟 5 7;

          9) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00,退出擦除模式;

          10) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1,恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

          5.3.5.2 User flash 區(qū)塊擦除步驟

          User flash 區(qū)進行塊擦除操作(16KB),可遵循以下步驟:

          1) 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器(FLASH_SR中的 BSY 標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作;

          2) 檢查 FLASH_SR 寄存器,確認錯誤標志均已清除;

          3) 解鎖 Flash 控制寄存器(FLASH_CR,使 LOCK 位清 0;(詳見:Flash 控制寄存器解鎖);

          4) 配置 FLASH_CR寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 10,進入塊擦除模式;

          5) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PNB[2:0]位域,選擇待擦除區(qū)域的塊號;

          6) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1,啟動 Flash 擦除,同時 BSY 標志將自動置 1;7) 查詢并等待 BSY 標志清 0,表明擦除操作已完成,此時 ERASE 位也將自動清 0

          8) 如果要對多個塊執(zhí)行擦除,可重復執(zhí)行步驟 5 7

          9) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00,退出擦除模式;

          10) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1,恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

          5.3.5.3 User flash 區(qū)批量擦除步驟

          批量擦除用于擦除整個 User flash 區(qū)域(128KB),可遵循以下步驟:

          1) 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器(FLASH_SR中的 BSY 標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作;

          2) 檢查 FLASH_SR 寄存器,確認錯誤標志均已清除;

          3) 解鎖 Flash 控制寄存器(FLASH_CR,使 LOCK 位清 0(詳見:Flash 控制寄存器解鎖);

          4) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 11,進入批量擦除模式;

          5) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ERASE 位置 1,啟動 Flash 擦除,同時 BSY標志將自動置 1

          6) 查詢并等待 BSY 標志清 0,表明擦除操作已完成,此時 ERASE 位也將自動清 0;

          7) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 ER_MODE[1:0]位域為 00,退出擦除模式;

          8) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1,恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

          5.3.5.4 User flash 區(qū)擦除錯誤

          在對 User flash 區(qū)執(zhí)行擦除操作的過程中,可能會出現(xiàn)以下錯誤標志:

          l Flash 操作序列錯誤標志 PESERR

          - ERASE 位被置 1 的同時,如果 ER_MODE[1:0] 位域為 00,則不會

          啟動擦除操作,錯誤標志 PESERR 將置 1;

          - ERASE 位被置 1 的同時,如果待擦除的區(qū)域(PNB[7:0])超出了

          Flash 的有效空間,則不會啟動擦除操作,錯誤標志 PESERR 將置 1

          - 當有錯誤標志(PESERR、PROGERR、SIZERR、PGAERR、WRPERR

          未被清除時,配置 ERASE 位置 1,則不會啟動擦除操作,錯誤標志PESERR 將置 1;

          - ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 個以上控制位同時置 1,

          則不會啟動對應的操作,錯誤標志 PESERR 將置 1。

          l 寫保護錯誤標志 WRPERR

          - 如果要擦除的區(qū)域受到安全保護機制的影響,包含有受保護的區(qū)域,

          則不會啟動擦除操作,FLASH_SR 寄存器中的 WRPERR 標志將置 1。

          5.3.6 User flash 區(qū)編程操作

          Flash 存儲器執(zhí)行編程操作,每次能寫入的數(shù)據(jù)長度固定為 32bits(字),不支持其他長度的數(shù)據(jù)寫入。

          FLASH 存儲器在執(zhí)行編程操作時,不能同時進行讀取操作,需要等待存儲器完成編程操作后,讀取操作才能正常進行。

          Flash 擦除操作類似,編程操作也會受到安全保護機制的影響:

          5.3.6.1 User flash 區(qū)編程操作步驟

          User flash 區(qū)進行編程操作,可遵循以下步驟:

          1) 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器(FLASH_SR中的 BSY 標志,以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作;

          2) 檢查 FLASH_SR 寄存器,確認錯誤標志均已清除;

          3) 解鎖 Flash 控制寄存器(FLASH_CR,使 LOCK 位清 0(詳見:Flash 控制寄存器解鎖);

          4) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 1,進入 Flash 編程模式;

          5) 向 Flash 目標地址寫入 32bits 數(shù)據(jù),寫入后 BSY 標志將自動置 1;

          6) 查詢并等待 BSY 標志清 0,表明編程操作已完成;7) 如果要對多個地址進行編程,可重復步驟 5 6;

          8) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 位為 0,退出 Flash 編程模式;

          9) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1,恢復 FLASH_CR 寄存器的寫保護鎖定狀態(tài)。

          5.3.6.2 User flash 區(qū)編程錯誤

          在對 User flash 區(qū)進行編程操作的過程中,可能會出現(xiàn)以下錯誤標志:

          l 編程錯誤標志 PROGERR

          - Flash 地址內(nèi)的數(shù)據(jù)不是 0xFFFF FFFF 時,表明該地址已經(jīng)執(zhí)行過

          編程操作,向該地址寫入數(shù)據(jù),則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略,不會啟動編

          程操作,錯誤標志 PROGERR 將置 1;

          - PG_MODE 位為 0 時,向 Flash 地址寫入數(shù)據(jù),則寫入的數(shù)據(jù)會被

          忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志 PROGERR 將置 1;

          - 當有錯誤標志(PESERR、PROGERRSIZERR、PGAERRWRPERR

          未被清除時,向 Flash 地址寫入數(shù)據(jù),則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志 PROGERR 將置 1。

          l 編程位寬錯誤標志 SIZERR

          - 如果向 Flash 地址寫入字節(jié)或半字,則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略,不會啟

          動編程操作,錯誤標志 SIZERR 將置 1。

          l 編程地址未對齊錯誤標志 PGAERR

          - 如果編程操作的目標地址沒有按字對齊(地址 2 位不為 b00),則

          寫入的數(shù)據(jù)會被忽略,不會啟動編程操作,錯誤標志 PGAERR 將置 1

          l 寫保護錯誤標志 WRPERR

          - 如果要編程的區(qū)域受到安全保護機制的影響,處于受保護的狀態(tài),向

          該區(qū)域中的地址寫入數(shù)據(jù),則寫入的數(shù)據(jù)會被忽略,不會啟動編程操

          作,錯誤標志 WRPERR 將置 1。

          5.4 Option bytes 區(qū)操作說明

          5.4.1 選項字節(jié)組成

          選項字節(jié)存放于 Flash 存儲器的 Option bytes 區(qū),用于保存與芯片硬件功能相關的配置項,用戶可根據(jù)應用對選項字節(jié)進行配置,以實現(xiàn)特定的硬件功能。

          為了校驗選項字節(jié)的正確性,在 Option bytes 區(qū)的每個字(32bits)被拆分成兩

          部分,低 16bits 存放選項字節(jié),高 16bits 存放選項字節(jié)的反碼。

          復位后,硬件會自動將 Option bytes 區(qū)中的內(nèi)容,加載到寄存器里,這些寄存器被稱為選項字節(jié)加載寄存器,選項字節(jié)中各控制位的作用,可查看以下寄存器的詳細描述:

          l FLASH_OPTR1:選項字節(jié)寄存器 1

          l FLASH_OPTR2:選項字節(jié)寄存器 2

          l FLASH_PCROP1AS:代碼讀出保護區(qū) 1A 起始地址寄存器

          l FLASH_PCROP1AE:代碼讀出保護區(qū) 1A 結(jié)束地址寄存器

          l FLASH_PCROP1BS:代碼讀出保護區(qū) 1B 起始地址寄存器

          l FLASH_PCROP1BE:代碼讀出保護區(qū) 1B 結(jié)束地址寄存器

          l FLASH_WRP1AS:寫保護區(qū) A 起始地址寄存器

          l FLASH_WRP1AE:寫保護區(qū) A 結(jié)束地址寄存器

          l FLASH_WRP1BS:寫保護區(qū) B 起始地址寄存器

          l FLASH_WRP1BE:寫保護區(qū) B 結(jié)束地址寄存器

          l FLASH_SECR:用戶安全配置寄存器

          5.4.2 選項字節(jié)更新

          Option bytes 區(qū)與 User flash 區(qū)不同,用戶不能直接對 Option bytes 區(qū)執(zhí)行擦除或編程操作,而是要通過對應的選項字節(jié)加載寄存器進行更新。

          對選項字節(jié)的更新遵循以下步驟:

          1) 檢查 Flash 狀態(tài)寄存器(FLASH_SR中的 BSY 標志位,以確認當前沒有正在執(zhí)行的 Flash 操作;

          2) 檢查 FLASH_SR 寄存器,確認錯誤標志均已清除;

          3) 解鎖 Flash 選項字節(jié)的寫保護,使 Flash 控制寄存器(FLASH_CR中的

          OPTLOCK 位清 0(詳見:Flash 選項字節(jié)解鎖);

          4) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 1,進入 Flash 編程模式;

          5) 配置選項字節(jié)加載寄存器;

          6) 將 FLASH_CR 寄存器中的 OPTSTRT 位置 1,啟動選項字節(jié)的更新,同時BSY 標志將自動置 1

          7) 查詢并等待 BSY 標志清 0,表明選項字節(jié)已更新完成,此時 OPTSTRT 位也將被自動清 0;

          8) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 PG_MODE 位為 0,退出 Flash 編程模式;

          9) 配置 FLASH_CR 寄存器中的 OPTLOCK 位置 1,恢復選項字節(jié)的寫保護鎖定狀態(tài);

          10) 此時 FLASH_CR 寄存器處于解鎖狀態(tài),可根據(jù)需要配置 FLASH_CR 寄存器中的 LOCK 位置 1,將其恢復成寫保護鎖定狀態(tài)。

          在啟動選項字節(jié)更新后,將對 Option bytes 區(qū)進行擦除,并自動生成選項字節(jié)的反碼,隨后會將選項字節(jié)及其反碼更新到 Option bytes 區(qū)。

          在完成對選項字節(jié)的更新后,直接讀取 Option bytes 區(qū),可獲取更新后的選項字節(jié)值。但是更新后的選項字節(jié)此時并未生效,如果讀取選項字節(jié)加載寄存器,獲得的仍將是最近一次已加載生效的選項字節(jié)值。在對選項字節(jié)進行更新的過程中,可能會出現(xiàn)以下錯誤標志:

          l Flash 操作序列錯誤標志 PESERR

          - OPTSTRT 位被置 1 的同時,如果 PG_MODE 位為 0,則不會啟動

          選項字節(jié)更新,錯誤標志 PESERR 將置 1;

          - 當有錯誤標志(PESERRPROGERR、SIZERRPGAERR、WRPERR

          未被清除時,配置 OPTSTRT 位置 1,則不會啟動選項字節(jié)更新,錯誤

          標志 PESERR 將置 1;

          - ERASEOPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 個以上控制位同時置 1,

          則不會啟動對應的操作,錯誤標志 PESERR 將置 1。

          5.4.3 選項字節(jié)加載

          要使 Option bytes 區(qū)中選項字節(jié)生效,可通過以下方式對選項字節(jié)進行加載:

          l 以下復位將觸發(fā)加載:

          - POR/PDR 復位

          - 退出 Standby 模式復位

          l 配置 FLASH_CR 寄存器中 OBL_LAUNCH 位為 1 啟動加載,加載執(zhí)行時BSY 標志將自動置 1,加載完成后該標志將自動清 0 并觸發(fā)系統(tǒng)復位。

          如果 ERASE、OPTSTRT、OBL_LAUNCH 中任意 2 個以上控制位同時置 1,則不會啟動對應的操作,錯誤標志 PESERR 將置 1。

          在選項字節(jié)加載過程中,將自動對選項字節(jié)及其反碼進行校驗,如果出現(xiàn)錯誤,將維持復位狀態(tài)不再執(zhí)行任何操作,直到發(fā)生 POR/PDR 復位。

          當選項字節(jié)加載生效后,Option bytes 區(qū)中的選項字節(jié)將被自動復制到對應的加載寄存器。讀取選項字節(jié)加載寄存器,獲得的總是加載生效后的選項字節(jié)值。

          5.5 Flash 安全保護機制

          Flash 存儲器支持以下安全保護機制:

          l Flash 讀出保護(RDP):通過配置不同 RDP 保護等級,對存儲器的操作權(quán)限進行限制。

          l Flash 代碼讀出保護(PCROP):禁止對受保護的區(qū)域執(zhí)行讀取、編程或擦

          除操作,僅允許取指操作。

          l Flash 寫入保護(WRP):禁止對受保護的區(qū)域執(zhí)行編程或擦除操作,但允

          許取指和讀取操作。

          l Flash 用戶安全區(qū)域:在復位后,用戶安全區(qū)域處于未保護狀態(tài),可執(zhí)行

          取指、讀取、編程和擦除操作。當安全區(qū)域使能后,該區(qū)域不可見,禁止

          對該區(qū)域執(zhí)行任何操作,直到重新復位。

          5.5.1 Flash 讀出保護

          5.5.1.1 RDP 保護權(quán)限

          Flash 讀出保護(RDP),共有三種保護等級:

          RDP0

          l User flash/SRAM 啟動

          - User flash 區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

          - System memory 區(qū):僅允許取指

          - Option bytes 區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

          - OTP 區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

          - 備份寄存器:允許讀取、寫入

          l Bootloader 啟動

          - User flash 區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

          - System memory 區(qū):允許取指、讀取

          - Option bytes 區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

          - OTP 區(qū):禁止執(zhí)行任何操作

          - 備份寄存器:禁止執(zhí)行任何操作

          l 調(diào)試接口

          - User flash 區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

          - System memory 區(qū):僅允許取指

          - Option bytes 區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

          - OTP 區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

          - 備份寄存器:允許讀取、寫入

          注意: Bootloader 啟動時,禁用調(diào)試接口。

          RDP1

          l User flash 啟動

          - User flash 區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

          - System memory 區(qū):僅允許取指

          - Option bytes 區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

          - OTP 區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

          - 備份寄存器:允許讀取、寫入

          l Bootloader 啟動

          - User flash 區(qū):僅允許取指

          - System memory 區(qū):允許讀取、取指

          - Option bytes 區(qū):允許讀取、更新(通過選項字節(jié)加載寄存器)

          - OTP 區(qū):禁止執(zhí)行任何操作

          - 備份寄存器:禁止執(zhí)行任何操作

          l 禁止從 SRAM 啟動

          l 禁用調(diào)試接口

          RDP2

          l User flash 啟動

          - User flash 區(qū):允許取指、讀取、編程、擦除

          - System memory 區(qū):僅允許取指

          - Option bytes 區(qū):僅允許讀取-

          OTP 區(qū):允許讀取、編程(每個字僅可編程一次)

          - 備份寄存器:允許讀取、寫入

          l 禁止從 Bootloader 啟動

          l 禁止從 SRAM 啟動

          l 禁用調(diào)試接口

          對于 Flash 存儲器,當 Flash 控制器檢測到無權(quán)限的非法操作時,FLASH_SR 寄 存器中的 ACERR 錯誤標志將立刻置 1,非法操作會被立刻終止,并產(chǎn)生總線訪 問錯誤,觸發(fā) HardFault 中斷。

          Option bytes 區(qū)的更新,必須通過相應的選項字節(jié)加載寄存器來完成。當保護等級為 RDP2 時,不允許更新該區(qū)域,此時如果 FLASH_CR 寄存器中的

          OPTSTRT 位被置 1,則 FLASH_SR 寄存器中的 ACERR 錯誤標志將置 1,對 Option bytes 區(qū)的操作將被終止,并產(chǎn)生總線訪問錯誤,觸發(fā) HardFault 中斷。

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          關鍵詞:控制器
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