晶閘管（THYRISTOR）又名可控硅

2011年09月04日 13:36:56人氣：760來源：深圳市安捷達電子有限公司

晶閘管（THYRISTOR）又名可控硅，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件，可控硅是其簡稱，按其工作特性，可控硅可分為單向可控硅（SCR）、雙向可控硅（TRIAC）。

單向可控硅（SCR） ：

單向可控硅有三個PN結(jié)，由zui外層的P極和N極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的P極引出一個控制極。

單向可控硅有其*的特性：當(dāng)陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導(dǎo)通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導(dǎo)通狀態(tài)。一旦導(dǎo)通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導(dǎo)通狀態(tài)。要想關(guān)斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。

可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生，而且動作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。

雙向可控硅（TRIAC）：

雙向可控硅的引腳多數(shù)是按T1、T2、G的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對有字符的一面時）。加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導(dǎo)通電流的大小。與單向可控硅的區(qū)別是，雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時，其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)?，所以可控硅有單雙向之分。

雙向可控硅按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅按封裝分：分為一般半塑封裝，外絕緣式全塑封裝；　按觸發(fā)電流來分：分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型；按電壓分：常規(guī)電壓品種、高壓品種。

可控硅的應(yīng)用領(lǐng)域：

　可控硅產(chǎn)品由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點，自上個世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門獨立的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”。

可控硅發(fā)展到今天，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。

可控硅在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變；無觸點功率靜態(tài)開關(guān)（固態(tài)開關(guān)）：作為功率開關(guān)元件，可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合?！∫虼丝煽毓柙粡V泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品的電路中，多作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等用途。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、冷暖空調(diào)器、熱水器、電視、冰箱、洗衣機、照相機、音響組合、聲控電路、定時控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動門電路、以及玩具裝置、電動工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機等工業(yè)控制領(lǐng)域等都大量使用了可控硅器件。在這些應(yīng)用電路中，可控硅元件多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點開關(guān)等。

可控硅成功應(yīng)用的十條規(guī)則：　　

1. 為了導(dǎo)通單向可控硅（或雙向可控硅），必須有門極電流?IGT ，直至負載電流達到?IL 。這條件必須滿足，并按可能遇到的zui低溫度考慮。

2. 要斷開（切換）單向可控硅（或雙向可控硅），負載電流必須<IH, 并維持足夠長的時間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的zui高運行溫度下必須滿足上述條件。

3. 設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時，只要有可能，就要避開3+象限（MT2-，G+）。

4. 為減少雜波吸收，門極連線長度降至zui低。返回線直接連至MT1（或陰極）。若用硬線，用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法，選用H 系列低靈敏度雙向可控硅。

5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt可能引起問題，在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題，加入一幾mH 的電感和負載串聯(lián)。另一種解決辦法，采用Hi-Com 雙向可控硅。

6. 假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出，采用下列措施之一：負載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感，以限制dIT/dt；用MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

7. 選用好的門極觸發(fā)電路，避開3+象限工況，可以zui大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力。

8. 若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出，負載上串聯(lián)一個幾μH 的無鐵芯電感或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對電阻性負載采用零電壓導(dǎo)通。

9.器件固定到散熱器時，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

10.為了長期可靠工作，應(yīng)保證Rth j-a 足夠低，維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的zui高環(huán)境溫度。

關(guān)鍵詞：可控硅功率器件單向可控硅雙向可控硅繼電器

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晶閘管（THYRISTOR）又名可控硅

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