壓電式振動傳感器CZ20，利用單晶硅材料的壓阻效應和集成電路技術制成的傳感器。單晶硅材料在受到力的作用后，電阻率發(fā)生變化，通過測量電路就可得到正?比于力變化的電信號輸出。壓阻式傳感器用于壓力、拉力、壓力差和可以轉(zhuǎn)變?yōu)榱Φ淖兓钠渌锢砹浚ㄈ缫何?、加速度、重量、應變、流量、真空度）的測量和控制。

壓阻式傳感器的結(jié)構(gòu)

這種傳感器采用集成工藝將電阻條集成在單晶硅膜片上，制成硅壓阻芯片，并將此芯片的周邊固定封裝于外殼之內(nèi)，引出電極引線。壓阻式壓力傳感器又稱為固態(tài)壓力傳感器，它不同于粘貼式應變計需通過彈性敏感元件間接感受外力，而是直接通過硅膜片感受被測壓力的。 

硅膜片的一面是與被測壓力連通的高壓腔，另一面是與大氣連通的低壓腔。硅膜片一般設計成周邊固支的圓形，直徑與厚度比約為20～60。在圓形硅膜片定域擴散4條P雜質(zhì)電阻條，并接成全橋，其中兩條位于壓應力區(qū)，另兩條處于拉應力區(qū)，相對于膜片中心對稱。 

此外，也有采用方形硅膜片和硅柱形敏感元件的。硅柱形敏感元件也是在硅柱面某一晶面的一定方向上擴散制作電阻條，兩條受拉應力的電阻條與另兩條受壓應力的電阻條構(gòu)成全橋。 

壓阻式傳感器是根據(jù)半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內(nèi)接成電橋形式。 

技術參數(shù)：

■ 靈 敏 度：20-50mV/mm/s±5%；測試條件：（溫度20℃±5℃，在80Hz，速度為10mm /s情況下測得）

■ 振幅極限：≤2000μm (峰-峰)；

■ 頻率響應：（10~1000）Hz；

■ 加速度：10g；

■ 測量方向：垂直或水平；（通用型）

■ 安裝方式：在傳感器底部中心孔用一個M10×1或M10X1.5的螺釘固定；

■ 輸出接線方式：航空接插件；

■ 環(huán)境條件：防塵、防潮

■ 使用溫度：（-30 ~ 120）℃；

■ 相對濕度：≤95 %（非冷凝）；

■ 外形尺寸：Φ32×78（mm）；