我們公司生產(chǎn)銷售的淬火設(shè)備配有功率器件MOSFET以及IGBT，可實(shí)現(xiàn)頻率自動(dòng)跟蹤。環(huán)鑫牌淬火設(shè)備采用的是德國(guó)進(jìn)口IGBT器件，質(zhì)量有保障，使用壽命長(zhǎng)。

IGBT晶體管電源可以說(shuō)是雙極型晶體管BIT和MOSFET晶體管的復(fù)合。雙極晶體管飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流也大；而MOSFET晶體管為電壓驅(qū)動(dòng)型，它的驅(qū)動(dòng)功率小，載流密度小，開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通壓降大。IGBT晶體管綜合了兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，成為驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低、導(dǎo)通損耗小的新型器件。

IGBT晶體管電源與其他晶閘管電源相比，工作頻率更高，工作效率更好。IGBT晶體管電源作為功率器件，應(yīng)用在高頻感應(yīng)加熱器上起高頻開(kāi)關(guān)的作用。怎么說(shuō)，其實(shí)IGBT器件主要的作用是逆變開(kāi)關(guān)的作用，兼具三極管和MOS管的有點(diǎn)。驅(qū)動(dòng)功率小，而飽和壓降低。采用IGBT晶體管電源的電壓范圍可達(dá)到6500V，而采用其他管的zui多只有20-1500V。通常情況下，電壓范圍越寬，功率就越大。

由于IGBT晶體管電源具有各種優(yōu)良的特性，使得它得到快速的發(fā)展，普遍適用于各種淬火設(shè)備中。環(huán)鑫公司采用進(jìn)口的IGBT器件，確保了淬火設(shè)備的實(shí)用性和質(zhì)量。