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CoolMOSC7可降低超大型數(shù)據(jù)中心和電信基站等要求提率和降低TCO的應(yīng)用的開關(guān)損耗。CoolMOSC7可使PFC和LLC拓?fù)涞男史謩e提高0.3%-0.7%和0.1%,這有利于顯著降低總擁有成本。對(duì)于2.5kW的服務(wù)器PSU,使用C7600VMOSFET可將因PSU能量損失導(dǎo)致的能源成本降低10%左右。在企業(yè)服務(wù)器等關(guān)注組件和其他成本的應(yīng)用中,CoolMOSC7600V器件可幫助降低磁性元件成本。由于柵極電荷和輸出電容顯著降低,C7的開關(guān)頻率是CoolMOS™CP的兩倍,但效率僅稍遜于CoolMOS™CP。這有助于zui大限度縮小磁性元件尺寸,降低組件總成本。比如,開關(guān)頻率從65kHz增大一倍至130kHz時(shí),磁性元件成本可降低30%之多。
CoolMOSC7600V家族產(chǎn)品將在兩個(gè)300毫米晶圓廠制造,可為客戶提供供貨保障。該家族產(chǎn)品囊括RDS(ON)值和封裝各不相同的眾多型號(hào),*型號(hào)包括采用創(chuàng)新性的TO-2474管腳封裝的型號(hào)。這種4管腳封裝它可消除因快速瞬變導(dǎo)致的電源電感電壓降,從而將滿載效率zui多提高0.4%。
英飛凌副總裁兼AC/DC產(chǎn)品線總PeterWawer表示:“作為英飛凌高壓MOSFET產(chǎn)品組合的一部分,全新CoolMOSC7600V家族是英飛凌預(yù)計(jì)2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)的現(xiàn)成、可靠的技術(shù),CoolMOSC7器件可zui大限度降低開關(guān)損耗,實(shí)現(xiàn)高達(dá)200kHz的開關(guān)頻率,而英飛凌的GaN技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大頻率范圍,支持新型拓?fù)洹?rdquo;
與CoolMOSC7600V形成互補(bǔ)、搭載行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)管腳的英飛凌全新2EDN7524EiceDRIVER™IC,擁有兩個(gè)獨(dú)立的非隔離式低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可支持的源匯峰值電流。兩個(gè)通道都能實(shí)現(xiàn)典型的5ns上升和下降時(shí)間,而1ns的通道間延時(shí)匹配方便設(shè)置同步切換,使總驅(qū)動(dòng)電流增加一倍。雖然電流增大,但輸出級(jí)的RDS(ON)非常低,這可zui大限度降低驅(qū)動(dòng)器的功耗——即便使用非常小的柵極電阻、或者不用任何外部柵極電阻。因?yàn)轵?qū)動(dòng)器IC能兼容控制和啟用輸入端高達(dá)-10VDC的電壓,所以它能有效應(yīng)對(duì)接地反彈,提高系統(tǒng)可靠性。
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