摘要：日前，整流器公司（簡稱IR）推出大罐式DirectFETMOSFET系列，適用于要求極低導通電阻(RDS(on))的工業(yè)應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態(tài)ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
　　
　　全新7mmx9mmx0.7mm大罐式封裝器件提供的導通電阻性能，從而實現(xiàn)較低的導通損耗和更理想的系統(tǒng)效率。這款大罐式產(chǎn)品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備雙面散熱功能，可提供*傳熱性能，提升功率密度。由于提供*的裸片對占位面積比，DirectFET可有效縮減電路板尺寸。新器件還具備0.7mm的超薄厚度，為受空間限制的高功率工業(yè)電源設計提供理想的解決方案。
　　
　　與DirectFET系列的其它器件一樣，全新的工業(yè)用大罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)的所有要求，例如提供*不含鉛的物料清單，因此非常適合長生命周期的設計。而其它同類型的高性能封裝則包含采用含鉛的裸片貼裝，雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a)項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。
　　
　　IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“DirectFET系列新增大罐式封裝器件后，繼續(xù)業(yè)界成為市場上zui可靠、zui高性能的MOSFET封裝產(chǎn)品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面積比D2PAK等傳統(tǒng)的大型塑料表面貼裝功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱性能，因而非常適合空間受限的長壽命工業(yè)電源設計。”