工控摘要：GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對(duì)更高品質(zhì)SiC材料的需求，這些材料將用于生產(chǎn)*的高功率及高頻設(shè)備。SiClone100為我們的SiC產(chǎn)品藍(lán)圖奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
　　
　　GTAdvancedTechnologies日前推出其新型SiClone100碳化硅（SiC）生產(chǎn)爐。SiClone100采用升華生長(zhǎng)技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可zui終制成zui大直徑為100毫米的芯片。在其初步階段，SiClone100主要針對(duì)本身已經(jīng)擁有熱場(chǎng)、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。
　　
　　GT的總裁兼執(zhí)行官TomGutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對(duì)更高品質(zhì)SiC材料的需求，這些材料將用于生產(chǎn)*的高功率及高頻設(shè)備。SiClone100為我們的SiC產(chǎn)品藍(lán)圖奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)，根據(jù)藍(lán)圖我們預(yù)計(jì)在未來向客戶提供可生產(chǎn)八英寸SiC芯片的完整生產(chǎn)環(huán)境，包括配方、熱場(chǎng)及耗材。”
　　
　　GT利用其在晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域深入的專業(yè)知識(shí)，為正在尋求“從實(shí)驗(yàn)室向工廠轉(zhuǎn)化”的客戶提供高度可靠及經(jīng)驗(yàn)證的平臺(tái)，幫助客戶開始量產(chǎn)SiC晶體塊。SiClone100爐裝備有的控制系統(tǒng)，通過將爐電子與人機(jī)界面（HMI）相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)過程的自動(dòng)化。SiClone100采用底部灌裝設(shè)計(jì)，從而令熱場(chǎng)灌裝變得簡(jiǎn)單?？刂葡到y(tǒng)為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據(jù)需要制定過程配方及控制生產(chǎn)參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運(yùn)行的控制重復(fù)性，zui終降低制造成本。GT的現(xiàn)場(chǎng)工程師及支援團(tuán)隊(duì)將幫助客戶快速啟動(dòng)量產(chǎn)。