工控摘要：隨著消費(fèi)者對(duì)高速無線寬頻網(wǎng)路的需求迅速成長，智能手機(jī)和平板電腦等裝置需要采用更復(fù)雜的電路。
　　
　　為滿足這一市場需求，提高移動(dòng)裝置射頻（RF，radiofrequency）前端的性能，并縮減電路尺寸，橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）發(fā)布全新、優(yōu)化*工藝。
　　
　　無線裝置RF前端電路通常采用獨(dú)立的放大器、開關(guān)和調(diào)諧器。隨著4G移動(dòng)通信和Wi-Fi（IEEE802.11ac）等新高速標(biāo)準(zhǔn)開始使用多頻技術(shù)提高數(shù)據(jù)吞吐量，的移動(dòng)裝置需要增加前端電路?，F(xiàn)有的3G手機(jī)可支援5個(gè)頻段，而下一代4GLTE標(biāo)準(zhǔn)3GPP可支援高達(dá)40個(gè)頻段。傳統(tǒng)的離散元件會(huì)大幅增加裝置尺寸，而意法半導(dǎo)體的新工藝H9SOI_FEM可制造并整合全部前端功能模組。
　　
　　這項(xiàng)工藝是H9SOI硅絕緣層金氧半電晶體元件工藝的進(jìn)化。意法半導(dǎo)體于2008年成功研發(fā)了這一具突破性的H9SOI技術(shù)，隨后客戶運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)研發(fā)了4億多顆手機(jī)和Wi-FiRF開關(guān)。憑借在這一領(lǐng)域的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，為研發(fā)整合前端模組，意法半導(dǎo)體優(yōu)化了H9SOI工藝，推出了H9SOI_FEM，為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界*的品質(zhì)因數(shù)（RonxCoff＝207fs）。意法半導(dǎo)體同時(shí)投資擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足客戶的zui大需求。
　　
　　從商業(yè)角度來看，高速多頻智能手機(jī)的拉動(dòng)市場對(duì)RF前端元件（特別是整合模組）的需求迅速成長，根據(jù)Prismark的分析報(bào)告顯示，智能手機(jī)的RF前端元件數(shù)量大約是入門級(jí)2G/3G手機(jī)的3倍，目前智能手機(jī)年銷量超過10億臺(tái)，成長速度約30%。此外，OEM廠商要求芯片廠商提供更小、更薄、能效更高的元件。意法半導(dǎo)體看好離散元件以及整合模組的市場前景，如運(yùn)用意法半導(dǎo)體新推出的工藝H9SOI_FEM整合功率放大器和開關(guān)的RF模組和整合功率放大器、開關(guān)和調(diào)諧器的模組。
　　
　　意法半導(dǎo)體混合信號(hào)工藝產(chǎn)品部總FlavioBenetti表示：“H9SOI_FEM工藝讓客戶能夠研發(fā)的尺寸，相當(dāng)于目前前端解決方案的二分之一或更小的前端模組，此外，我們還開發(fā)出一個(gè)簡化的供貨流程，可大幅縮短供貨周期，提高供貨靈活性，這對(duì)市場上終端用戶至關(guān)重要。”
　　
　　目前意法半導(dǎo)體正與客戶合作使用H9SOI_FEM開發(fā)新設(shè)計(jì)。預(yù)計(jì)2013年年底投入量產(chǎn)。
　　
　　技術(shù)細(xì)節(jié)：
　　
　　H9SOI_FEM是一個(gè)閘寬0.13μm的1.2V和2.5V雙閘MOSFET技術(shù)。與制造RF開關(guān)等離散元件的傳統(tǒng)SOI工藝不同，H9SOI_FEM可支援多項(xiàng)技術(shù)，如GO1MOS、GO2MOS和優(yōu)化的NLDMOS，這些特性讓H9SOI_FEM可支援單芯片整合RF前端的全部主要功能，包括RF開關(guān)、低噪音放大器（LowNoiseAmplifier，LNA）、無線多模式、多頻功率放大器（PowerAmplifier，PA）、雙訊器（diplexer）、RF耦合器、天線調(diào)諧器和RF能源管理功能。
　　
　　GO1MOS是高性能LNA技術(shù)，能夠承受極低的噪音系數(shù)（1.4dB@5GHz），提供60GHz的閾頻率（Ft），為5GHz設(shè)計(jì)提供較高的安全系數(shù)。
　　
　　GO2CMOS和GO2NMOS被廣泛用于研發(fā)RF開關(guān)，讓意法半導(dǎo)體的工藝為天線開關(guān)和天線調(diào)諧器提供業(yè)界的品質(zhì)因數(shù)（RonxCoff＝207fs）。
　　
　　GO2高壓MOS可整合功率放大器和能源管理功能。在飽合低頻帶GSM功率條件下，優(yōu)化的NLDMOS技術(shù)使功率放大器的Ft達(dá)到36GHz，開關(guān)效率達(dá)到60%。關(guān)于能源管理，PLDMOS技術(shù)的擊穿電壓（breakdownvoltage）為12V，可直接連接電池。
　　
　　必要時(shí)在三層或四層鋁和厚銅層上沉積，還可提高整合被動(dòng)元件的性能。
　　
　　H9SOI_FEM既適用于重視低成本和高整合度的低階市場，又適用于高階智能手機(jī)市場。高階產(chǎn)品通常要求整合多頻段，不僅可支援2G、3G和4G標(biāo)準(zhǔn)，還可支援其它的無線連接標(biāo)準(zhǔn)，如藍(lán)牙、Wi-Fi、GPS和用于非接觸式支付的近距離無線通信（NFC，NearFieldCommunication）