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PhotoMOS 功率 1a 高容量 SIL

PhotoMOS HE 1a 高容量

查找類似產(chǎn)品基本信息訂貨產(chǎn)品號尺寸圖可實現(xiàn)3

查找類似產(chǎn)品小型尺寸、低消耗電流實現(xiàn)Max.0.2mA的容量絕緣方式尚未取得標準認證

實現(xiàn)了細長、省空間的4點輸出

DC100V100A高容量DC通斷繼電器

可切斷DC1

1.可控制高電壓、高電流

1.實現(xiàn)了高度的接觸可靠性

1.強制導向觸點的構造(EN50205ClassATUV的認證)檢測觸點粘連，可以構筑安全電路的強制導向觸點構造

1.強制驅動方式

GN繼電器

標準認證信息符合EN60335-1GWT低高度15

對應IEC62055-31UC31a90A功率磁保持繼電器保護構造：防塵罩特點1

DJ-H繼電器

DW繼電器低高度型

PA-N繼電器

AQ-A可控硅輸出光電耦合器

實現(xiàn)了高速通信、高抗噪音性能

實現(xiàn)了低電壓驅動、低消耗電流