DRT系列IGBT驅動變壓器系我公司為驅動IGBT和MOSFET而專門研制的產品，以非晶合金和納米晶合金作為磁芯，可滿足多項應用要求。

    一．產品特點：

    ① 耦合電容低，使之具有很高的抗干擾能力；

    ② 漏感小，保證了更好的輸出脈沖波形；

    ③ 無開關延時、瞬時傳輸功率高；

    ④ 抗電強度高，安全可靠；

    ⑤ 全封閉，機械和耐環(huán)境性能好；

    ⑥ 體積小巧，結構緊湊，外形美觀，針腳穿孔式安裝，使用方便。

    二．使用條件：

    ① 環(huán)境溫度：-40℃~+85℃

    ② 相對濕度：溫度為40℃時不大于90%

    ③ 大氣壓力：860~1060mbar（約為650~800mmHg）

    三．絕緣耐熱等級：F級（155℃）

    四．安全特性：

    ① 絕緣電阻：常態(tài)時大于1000MΩ

    ② 阻燃性：符合UL94-V₀級

    五．各參數意義及外形圖、安裝尺寸、線圈圖和主要技術參數（典型值）

    ① 各參數的意義：

    u—變比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ。

    V_P—各繞組之間施加的抗電強度試驗電壓之有效值，持續(xù)時間60s。

    ∫udt—額定伏微秒積≈V₁·t_n（在一定頻率范圍內其值基本不變）。

    V₁—輸入脈沖幅度（初級脈沖電壓）。

    t_n—在相應的V₁和F_P下驅動變壓器的額定傳輸脈寬。

    V₂—輸出脈沖幅度（次級脈沖幅度）。

    R_L—IGBT模塊或MOSFET控制級等效電阻。

    L_P—線圈初級電感量  f=1000Hz  V=0.3V

    L_S—漏感（將次級繞組短路后測量）f=1000Hz  V=1V

    C_K—分布電容   f=1000Hz  V=1V

    ② 外形圖、安裝尺寸、線圈圖及主要技術參數