FF200R12KT3 1200V IGBT模塊

原裝FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模塊到貨
型號:FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3
廠家:EUPEC/英飛凌

EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3均屬于EUPEC第三代IGBT有兩種系列。后綴為“KE3”的址是低頻系列，其*開關(guān)頻率為lK一8KHz。1200V IGBT飽干和壓降VcEisal=1．7V，變頻器應(yīng)用。在變頻器應(yīng)用中，中國已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基礎(chǔ)上，采用淺溝槽和優(yōu)化“FS”層離子注入濃度、厚度以及集電區(qū)摻朵濃度等，又開發(fā)出高頻系州，以后綴“KT3”為標(biāo)志。EUPEC“KT3”系弄在飽和壓降不增加的情況下開關(guān)頻率提高到15KHz，于8KHz一15KHz的應(yīng)川場合。EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3在開關(guān)頻率FK≥8KHz應(yīng)用中,“KT3”比“KE3”開關(guān)損耗降低20％左右。Infineon／EUPEC 600V系列IGBT3后珊為“KE3”，是高頻IGBT模塊，開關(guān)頻率可達(dá)到20KHz，飽和壓降為1.50V，zui高工作結(jié)溫可高達(dá)175℃ Infineon／EUPEC第三代IGBT，采用了溝槽柵及電場終止層（FS）兩種新技術(shù)，EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3帶來了IGBT芯片厚度大大減薄。傳統(tǒng)1200V NPT—IGBT芯片厚度約為200gm，IGBT3后綴為“KE3”的，厚度為140~tm左右；后綴為“KT3”芯片厚度進(jìn)一步減薄到120um左右；600V IGBT3其芯片厚度僅為70~tm左右，這樣薄的晶片，加工工藝難度較大。lnfineon在超薄晶片加工技術(shù)方面在處于地位。 Infineon／EUPEC IGBT3采用了當(dāng)今IGBT的技術(shù)（溝槽柵+電場終止層），EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3是目前*異的IGBT產(chǎn)品，有些電力半導(dǎo)體廠家稱這些技術(shù)為第五代，甚至稱之為第八代IGBT技術(shù)。Infineon／EUPEC稱之為第三代，正如在其型號中的電流標(biāo)稱一樣，模塊總足按Tc=80℃來標(biāo)稱，讓產(chǎn)品來說話，讓用戶來評判。