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          北京北極新華科技有限公司

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          英飛凌IGBT模塊 FZ3600R12HP4

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          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產(chǎn)品型號FZ1800R12KL4C

          品牌英飛凌/Infineon

          廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

          所在地北京市

          更新時間:2021-06-11 14:48:53瀏覽次數(shù):580次

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          英飛凌IGBT模塊 FZ3600R12HP4絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

          英飛凌IGBT模塊 FZ3600R12HP4

          英飛凌IGBT模塊 FZ3600R12HP4

          英飛凌IGBT模塊 IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。

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          IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。較低的壓降,轉(zhuǎn)換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結(jié)構(gòu),同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度,并簡化IGBT驅(qū)動器的原理圖。

          1.一單元/600V IGBT:

          BSM200GA60DN2

          BSM200GA60DLC

          BSM300GA60DN2

          BSM300GA60DLC

          BSM400GA60DN2

          BSM400GA60DLC

          FZ300R06KE3

          FZ400R06KE3

          FZ600R06KE3

          FZ800R06KE3

          2.一單元/1200V IGBT:

          BSM200GA120DN2

          BSM300GA120DN2

          BSM400GA120DN2

          BSM200GA120DL

          BSM300GA120DL

          BSM400GA120DL

          BSM200GA120DN2S

          BSM300GA120DN2S

          BSM400GA120DN2S

          BSM200GA120DN2SE3256

          BSM300GA120DN2SE3256

          BSM400GA120DN2SE3256

          BSM200GA120DN2FSE3256

          BSM300GA120DN2FSE3256

          BSM400GA120DN2FSE3256

          BSM200GA120DN2C

          BSM300GA120DN2C

          BSM400GA120DN2C

          FZ1200R12KF4

          FZ2400R12KF4

          FZ1800R12KF4

          FZ1600R12KF4

          FZ300R12KE3G

          FZ400R12KE3

          FZ600R12KE3

          FZ800R12KE3

          FZ1200R12KE3

          FZ3600R12HP4

          FZ2400R12HP4_B9

          FZ1800R12HP4_B9

          FZ2400R12HP4

          FZ1600R12HP4

          FZ1200R12HP4

          FZ900R12KP4

          FZ900R12KE4

          FZ600R12KE4

          FZ400R12KP4

          FZ400R12KE4

          FZ3600R12KE3

          FZ2400R12KE3_B9

          FZ2400R12KE3

          FZ1600R12KE3

          FZ1200R12KE3

          FZ600R12KE3B1

          FZ800R12KS4_B5

          FZ2400R12KL4C

          FZ1800R12KL4C

          FZ1600R12KL4C

          FZ1200R12KL4C

          FZ800R12KL4C

          FZ2400R12KF4

          FZ1800R12KF4

          FZ1600R12KF4

          FZ1200R12KF4

          FZ800R12KF4

          FZ800R12KF4_S1

          FZ1000R12KF4_S1

          FZ1200R12KF4_S1

          FZ1800R12KF4_S1

          FZ800R12KF4S1

          FZ1000R12KF4S1

          FZ1200R12KF4S1

          FZ1800R12KF4S1

          FZ600R12KS4

          FZ800R12KS4

          FZ900R12KF5

          FZ1200R12KF5

          FZ800R12KF1

          FZ1000R12KF1

          FZ1200R12KF1

          FZ1000R12KF5

          FZ1000R12KF4

          FZ1600R12KF1

          “富士IGBT”“富士IGBT模塊”“富士變頻器模塊”

          2MBI150NC-120、2MBI150SC-120、2MBI150

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