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北京海富達(dá)科技有限公司
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THZ24-LT-2單晶少子壽命測(cè)試儀 儀表
| 參考價(jià): | ￥ 32000 |
| 訂貨量: | 1 把 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)- THZ24-LT-2 產(chǎn)品型號(hào)
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訪問(wèn)次數(shù)：1051更新時(shí)間：2025-04-07 10:49:08
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
型號(hào):THZ24-LT-2
庫(kù)號(hào)：M408359
測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
產(chǎn)品介紹
單晶少子壽命測(cè)試儀 儀表
單晶少子壽命測(cè)試儀 儀表
LT-2型單晶少子壽命測(cè)試儀，該儀器用于測(cè)量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，是半導(dǎo)體的常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目之一。本儀器配備有紅外光源，可測(cè)量包括集成電路級(jí)硅單晶在內(nèi)的硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測(cè)量等。
本儀器根據(jù)高頻光電導(dǎo)衰退法的原理，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺(tái)共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。
技 術(shù) 指 標(biāo) ：
測(cè)試單晶電阻率范圍 >2Ω.cm
可測(cè)單晶少子壽命范圍 5μS～7000μS
配備光源類型 波長(zhǎng)：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源 用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器 放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測(cè)量重復(fù)誤差 <±20％
測(cè)量方式 采用對(duì)標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率 <25W
儀器工作條件 溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測(cè)單晶尺寸 斷面豎測(cè)：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測(cè)：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器 頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；
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