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          深圳市龍信達(dá)科技有限公司>>>>LXD/GB3-A1DPB光敏傳感器(替代光敏電阻)符合ROSH要求LXD/GB3-A1DPB

          光敏傳感器(替代光敏電阻)符合ROSH要求LXD/GB3-A1DPB

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          • 光敏傳感器(替代光敏電阻)符合ROSH要求LXD/GB3-A1DPB

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          • 型號(hào) LXD/GB3-A1DPB
          • 品牌
          • 廠商性質(zhì) 其他
          • 所在地 深圳市

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          更新時(shí)間:2022-04-18 18:02:22瀏覽次數(shù):392

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          產(chǎn)品簡介

          光敏傳感器系列
          產(chǎn)品型號(hào):LXD/GB3-A1DPB
          替代CDS光敏電阻 ?符合RoHS指令/無鉛/無鎘
          普通型光敏傳感器
          典型應(yīng)用:
          替代光敏電阻(CDS)
          調(diào)節(jié)背景光,如LCD顯示器,電視,PDA, 照相機(jī)和等
          特性
          隨光照度變化線性輸出內(nèi)置濾光鏡,其光譜響應(yīng)特性類似人眼
          低工作照度符合RoHS指令/無鉛/無鎘

          詳細(xì)介紹

           

          光敏傳感器系列
          產(chǎn)品型號(hào):LXD/GB3-A1DPB
          替代CDS光敏電阻 ·符合RoHS指令/無鉛/無鎘
          普通型光敏傳感器
          典型應(yīng)用:
          替代光敏電阻(CDS)
          調(diào)節(jié)背景光,如LCD顯示器,電視,PDA, 照相機(jī)和等
          特性
          隨光照度變化線性輸出內(nèi)置濾光鏡,其光譜響應(yīng)特性類似人眼
          低工作照度符合RoHS指令/無鉛/無鎘
          1.       zui大額定值(Ta= 25°C)
           

          特性??
          符號(hào)
          額定值
          單位
          集電極-發(fā)射級(jí)電壓
          VCEO
          70
          發(fā)射級(jí)-集電級(jí)電壓
          VCEO
          7
          集電極電?
          IC
          20
          毫安培
          集電極功耗
          PD
          100
          毫瓦
          工作溫度
          Topr
          -25~+70
          儲(chǔ)存溫度
          Tstg
          -25~+80
          焊接溫度(5 秒)※1
          Tsol
          260

          ※1 At the position of 2mm from the bo ttom of the package within 5 s econds.
           
          2. 光電特性(Ta= 25°C)
           

          ??
          符號(hào)
          測(cè)試條件
          zui小
          典型
          zui大
          單位
          集電極光電?
          IC
          VCE=5V, Ev= 100Lux,
          (Ee=1Mw/cm22
          310
          328.5
          339
          微安培
          集電級(jí)暗電壓
          ICEO
          VCE=5V, Ee= 0 2
           
           
          10
          納安
          集電極-發(fā)射級(jí)飽和壓?
          VCE(sat)
          IC=20mA,IB=100uA
           
           
          2.0
          峰值波長
          λp
           
           
          850
           
          納米
          光譜?敏度
          Δλ
           
          450~1050
          納米
          半角度
          Δθ
           
           
          ±60
           
          反應(yīng)時(shí)間(上升)
          tr
          VCC=5V, IC=1mA
          RL=1K
           
          15
           
          微秒
          反應(yīng)時(shí)間(下?)
          Tf
           
          15
           
          微秒
          增益
          hFE
          VCE=5v IC=2mA
          1200
           
          2000
           

          ※2 Ev ,Ee are illuminance irradiant by CIE standard light source A(tungsten lamp)at 2856K。

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