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          西安智盈電氣科技有限公司


          當前位置:西安智盈電氣科技有限公司>>>>IPM 參數測試系統(tǒng)設備

          IPM 參數測試系統(tǒng)設備

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          參   考   價: 9000

          訂  貨  量: ≥1 套

          具體成交價以合同協(xié)議為準

          產品型號ZY-DBC-102

          品       牌其他品牌

          廠商性質生產商

          所  在  地西安市

          聯(lián)系方式:張芳查看聯(lián)系方式

          更新時間:2025-03-21 13:19:24瀏覽次數:30次

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          經營模式:生產廠家

          商鋪產品:30條

          所在地區(qū):陜西西安市

          聯(lián)系人:張芳 (總經理)

          產品簡介

          IPM 參數測試系統(tǒng)設備試系統(tǒng),選擇中心對準SPWM波形作為IPM控制信號源,檢測IPM的開關特性參數以及電壓電流諧波特性,并對器件的故障信息給予判斷處理。

          詳細介紹

          系統(tǒng)概念                                                                              

          IPM(Intelligent Power Module), IPM 參數測試系統(tǒng)設備試系統(tǒng)即智能功率模塊,是混合集成功率器件, 不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起。而且還內部集成有過電壓,過電流和過熱等故障檢測電路,并可將檢測信號送到CPU。  該系統(tǒng)在解決了IPM 的控制信號源以及高速數據采集處理兩個關鍵技術的條件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速實時測試系統(tǒng),選擇中心對準 SPWM 波形作為IPM控制信號源,檢測IPM 的開關特性參數以及電壓電流諧波特性,并對器件的故障信息給予判斷處理。

          測試功能 IPM 參數測試系統(tǒng)設備試系統(tǒng)

          測試范圍

          測試參數

          IPM

          BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

          VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

          ID, VEC,

          Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

          VCIN(OFF),

          ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

          VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

          Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

          T_MEAS, V_MEAS

          IGBT

          ICES BVCES IGES VF VGEON

          VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

          DIODE

          VF-Temp,Temp, VF revision

          參數指標

          靜態(tài)參數

          上橋參數

          動態(tài)參數

          上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)

          集電極電壓/Vce:100~1200V/±3%/10V


          上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

          集電極電流/Ice: 10~75A/±3%/1A


          上橋驅動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

          VD=VBS=15V/±3%/0.1V


          上橋驅動IC靜態(tài)工作電流測試(Iqbs-U V W)

          VIN=0~5V/±3%/0.1V


          上橋欠壓保護監(jiān)測電平(UVbsd-U V W)

          ton-L : 10~500nS/±3%/1nS


          上橋欠壓保護復位電平(UVbsr-U V W)

          tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


          上橋驅動IC導通閾值電壓測試(Vth(on)-UH VH WH)

          toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


          上橋驅動IC關斷閾值電壓測試(Vth(off)-UH VH WH)

          tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


          上橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UH VH WH)

          Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


          上橋FRD正向壓降測試(VF-(UH VH WH)

          Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



          Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ


          下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)

          下橋參數

          集電極電壓/Vce:100~1200V/±3%/10V

          下橋驅動IC靜態(tài)工作電流測試(IDL)

          集電極電流/Ice:10~75A/±3%/1A


          故障輸出電壓測試(Vfoh Vfol)

          VD=VBS=15V/±3%/0.1V


          過流保護閾值電壓測試(Vcin(ref))

          VIN=0~5V/±3%/0.1V


          下橋欠壓保護監(jiān)測電平(UVdd)VD=VBS=15V

          on-L : 10~500nS/±3%/1nS


          下橋欠壓保護復位電平(UVdr)

          tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


          下橋驅動IC導通閾值電壓(Vth(on)-UL VL WL)

          toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


          下橋驅動IC關斷閾值電壓(Vth(off)-UL VL WL)

          tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


          下橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UL VL WL)

          Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


          下橋FRD正向壓降測試(VF-(UL VL WL)

          Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



          Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ









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