光譜	300~1200nm	長脈沖	10-100ms
測(cè)試對(duì)象	適用于晶體硅太陽能電池組件（PERC、N型、TOPcon以及HJT等）、支持MBB、半片、疊片等組件	電子負(fù)載	掃描方向支持Isc→Voc和Voc→Isc兩種模式
產(chǎn)能	＜5S（10ms），＜18S（50ms）	光源方向	上打光光源/側(cè)打光光源
可測(cè)面積	2600mm×1600mm（典型面積）	光源壽命	＞10W次

ZG1000系列太陽電池組件測(cè)試儀采用直射光結(jié)構(gòu)，模擬真實(shí)太陽光，支持側(cè)打光/上打光模式，覆蓋300-1200nm全光譜，脈沖寬度可調(diào)。設(shè)備三大核心指標(biāo)超越行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)高效晶硅電池全光譜測(cè)試，大幅提高測(cè)試準(zhǔn)確性。采用四線連接和高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，確保電流測(cè)量準(zhǔn)確。紅外無接觸測(cè)溫技術(shù)保證溫度修正準(zhǔn)確。適用于多種晶體硅太陽能電池組件（PERC、N型、TOPcon、HJT等）及薄膜電池組件

詳細(xì)介紹

性能特點(diǎn)

u A+A+A+標(biāo)準(zhǔn)：高于IEC60904-9 2020標(biāo)準(zhǔn)

u 300-1200nm全光譜：更加真實(shí)反映組件在各波段響應(yīng)能力

u 適合各類電池研究實(shí)驗(yàn)室及產(chǎn)線

u 電子負(fù)載：掃描方向支持Isc→Voc和Voc→Isc兩種模式

u 測(cè)量對(duì)象：PERC、N型、HJT、IBC、TOPcon、CIGS、普通晶硅等技術(shù)組件

u 輻照度：調(diào)節(jié)范圍可定制，200 W/m2起

技術(shù)指標(biāo)

設(shè)備型號(hào)	ZG1000
生產(chǎn)指標(biāo)
產(chǎn)能	＜5S（10ms），＜18S（50ms）
可測(cè)面積	2600mm×1600mm（典型面積）
光源方向	上打光光源/側(cè)打光光源
上料方式	手動(dòng)/配流水線
測(cè)量指標(biāo)
太陽模擬器光源等級(jí)	A+A+A+
太陽模擬器等級(jí)標(biāo)準(zhǔn)	IEC 60904-9 2020
校準(zhǔn)方式	標(biāo)準(zhǔn)組件單次自動(dòng)校準(zhǔn)光強(qiáng)
光譜匹配	0.875-1.125 (A+級(jí))
幅照度不穩(wěn)定性	STI＜0.2% LTI<1%(A+級(jí))
幅照度不均勻性	＜1% (A+級(jí))
光譜范圍	300-1200nm
閃光時(shí)間	10-100ms