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高溫高密度等離子體腔體

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鄭州科探儀器設(shè)備有限公司

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

高溫高密度等離子體腔體通常用于制造高真空環(huán)境下的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備和工業(yè)設(shè)備。這些設(shè)備包括：惰性氣體保護(hù)焊接設(shè)備、電子束物理氣相沉積設(shè)備、分子束外延設(shè)備、離子束蝕刻設(shè)備。除了以上應(yīng)用，真空石英腔體還可以用于制造太陽(yáng)能電池、光學(xué)儀器和研究天體物理學(xué)等領(lǐng)域

詳細(xì)介紹

高溫高密度等離子體腔體是一種石英材料制成的封閉腔室，內(nèi)部常常充滿(mǎn)等離子體氣體。等離子體是一種高溫、高密度的氣體，由帶正電荷的離子和帶負(fù)電荷的電子組成，具有導(dǎo)電性能。這種石英腔可以用于等離子體物理研究、等離子體加工技術(shù)以及材料表面改性等領(lǐng)域。

高溫高密度等離子體腔體可以有效地將等離子體與外界隔離，從而提高等離子體的純度和密度，同時(shí)保護(hù)外部設(shè)備不受等離子體的影響。例如，在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，石英腔可以通過(guò)對(duì)氣體進(jìn)行高頻電場(chǎng)激勵(lì)來(lái)產(chǎn)生等離子體，用于蝕刻、沉積和表面改性等工藝。此外，石英腔還能保持良好的熱穩(wěn)定性和耐腐蝕性，使其能夠在高溫、高壓和高氧化性的環(huán)境下，長(zhǎng)期運(yùn)行。

電感耦合等離子（Inductively Coupled Plasma，ICP）和電容耦合等離子（Capacitively Coupled Plasma，CCP）是兩種廣泛用于實(shí)驗(yàn)室中的等離子體源。它們的主要區(qū)別在于它們產(chǎn)生等離子體的機(jī)制和特點(diǎn)。

ICP是在高整流器運(yùn)作的RF（射頻）電源提供的高頻RF（常見(jiàn)頻率是27.12 MHz）的作用下工作的，而這個(gè)RF電源將產(chǎn)生的高頻電場(chǎng)通過(guò)感應(yīng)耦合傳送到氣體放電管（都柏林管）內(nèi)。這種電場(chǎng)產(chǎn)生了交變電壓，導(dǎo)致氣體分子發(fā)生電離，產(chǎn)生了等離子體。ICP的優(yōu)點(diǎn)在于它可以產(chǎn)生非常高的電子溫度和較高的等離子體密度，并用于產(chǎn)生高靈敏度的熒光譜檢測(cè)。

另一方面，CCP是通過(guò)直接應(yīng)用高頻電場(chǎng)在帶電片和反電極之間產(chǎn)生的交變電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生等離子體的。這種電場(chǎng)使電極表面產(chǎn)生周期性的荷電狀態(tài)變化，從而促進(jìn)了等離子體的生成。CCP的優(yōu)點(diǎn)是其低能耗和簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，但它通常只能產(chǎn)生低電子溫度和低等離子體密度的等離子體，因此在熒光譜檢測(cè)方面使用較少。

因此，這兩種等離子體產(chǎn)生技術(shù)在實(shí)驗(yàn)室中都得到廣泛應(yīng)用，并根據(jù)所需的特定應(yīng)用和實(shí)驗(yàn)室條件進(jìn)行選擇。

技術(shù)規(guī)格參數(shù)：

腔體材質(zhì)：鋁合金+石英玻璃

腔體尺寸：內(nèi)徑110mmx深度220MM

腔體容積：2.5L

腔體觀(guān)察窗：內(nèi)徑φ35 石英玻璃

腔體抽氣口：KF16

腔體進(jìn)氣口：6MM卡套

腔體真空度：機(jī)械泵小于等于0.5Pa

關(guān)鍵詞：整流器