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SENTECH-等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積 - (Depolab 200)

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產(chǎn)品型號(hào)Depolab 200

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產(chǎn)品簡介

Depolab 200 是 SENTECH 開發(fā)的高性價(jià)比等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。從 2″ 至 8″ 晶片和樣品的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開始，可逐步升級(jí)以完成復(fù)雜的工藝。

詳細(xì)介紹

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積

Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD

Deplab 200 PECVD 是SENTECH開發(fā)的高性價(jià)比直接載片式平行板電極等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)。

主要技術(shù)特點(diǎn)

● 高性價(jià)比：Depolab 200 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接載片相結(jié)合。

● 升級(jí)擴(kuò)展性：Depolab 200 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用模塊化設(shè)計(jì)，可升級(jí)更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

● 控制軟件：強(qiáng)大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝菜單編輯窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

● Depolab 200 是 SENTECH 開發(fā)的基本科研型等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載片的腔體設(shè)計(jì)，具有高性價(jià)比的優(yōu)點(diǎn)。從 2″ 至 8″ 晶片和樣品的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開始，可逐步升級(jí)以完成復(fù)雜的工藝。

● Depolab 200 的顯著特點(diǎn)是系統(tǒng)的可靠設(shè)計(jì)，軟件和硬件的靈活性。在該設(shè)備上開發(fā)了不同的工藝，例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200 包括帶氣路柜的反應(yīng)腔體，電子控制，計(jì)算機(jī)、前級(jí)泵和配電箱。

● Depolab 200 等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到 400℃ 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO₂、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜。Depolab 200 特別適用于沉積用于刻蝕掩膜，電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。

● Depolab 200 由 SENTECH 的控制軟件操作，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備 - Depolab 200

● 干泵組

● 開蓋載片

● 占地面積小

● 可選低頻射頻降低應(yīng)力

● 襯底溫度可高達(dá) 400?°C

● 適用于大到 200mm 的晶片

● 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備

關(guān)鍵詞：真空泵組配電箱