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          行業(yè)產(chǎn)品

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          上海德竹芯源科技有限公司


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          SENTECH-電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積 - (SI 500 D)

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          具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號SI 500 D

          品       牌

          廠商性質(zhì)其他

          所  在  地上海

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          更新時間:2024-05-15 09:24:56瀏覽次數(shù):104次

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          產(chǎn)品簡介

          SI 500 D 是基于平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計的平行板電極式電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積(ICP-CVD)設(shè)備,PTSA射頻等離子體源可有效地提高等離子體的密度,達(dá)到低功率,高密度,低溫,低損傷的工藝效果。

          詳細(xì)介紹

          電感耦合等離子體化學(xué)氣相沉積

          Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition - ICPCVD


          SI 500 D ICP-CVD 使用平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計,兼具平行板CCP和ICP兩種射頻源的特點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)低溫低損傷低應(yīng)力介質(zhì)薄膜沉積。

          平行板三螺旋天線(PTSA)設(shè)計ICP-CVD

          主要技術(shù)特點(diǎn)

          高密度等離子體:具有優(yōu)異的等離子體特性,如高密度,低離子能量和低壓等離子體。

          低功率耦合:SENTECH 的平行板三螺旋天線 (PTSA) 等離子體源技術(shù),實(shí)現(xiàn)低功率耦合。

          低溫等離子體刻蝕速率、高擊穿電壓、低應(yīng)力、不損傷襯底,以及在低于 100°C 的沉積溫度下的低界面態(tài)密度,使得所沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能。

          動態(tài)溫度控制:態(tài)溫度控制結(jié)合氦氣背冷的襯底電極,襯底溫度控制:室溫到 +350°C 。


          主要配置特點(diǎn)

          SI 500 D ICP-CVD可沉積各種常見薄膜,如介質(zhì)膜、α-Si、SiC 和其他材料。平行板三螺旋天線(PTSA)等離子體設(shè)計,獨(dú)立的反應(yīng)氣體控制、動態(tài)溫度控制襯底電極、全自動控制的高真空系統(tǒng)、采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的 SENTECH 控制系統(tǒng),以及用戶友好的軟件界面。

          SI 500 D ICP-CVD兼容各種各樣的襯底,從直徑 200 mm(8英寸) 的晶片到裝載在載片器上的碎片。單晶片預(yù)真空室保證了穩(wěn)定的工藝條件和人員的安全,并實(shí)現(xiàn)了不同工藝之間的快速便捷切換。

          SI 500 D ICP-CVD可實(shí)現(xiàn)從室溫到 350℃ 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO2、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜??杉嫒菀簯B(tài)或氣態(tài)前驅(qū)體,可提供 TEOS, SiC 和其它特殊材料和前驅(qū)體的薄膜沉積提供全套解決方案。特別適用于在有機(jī)材料上低溫沉積保護(hù)層和在既定的溫度下無損傷地沉積鈍化膜。

          SENTECH 提供不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室或六個工藝模塊端口,具有很高的升級靈活性或高產(chǎn)能拓展可能性。該系統(tǒng)可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊,直接集成于其中。


          應(yīng)用展示

          低溫沉積,高臺階覆蓋性,高致密度沉積

          低溫沉積Si薄膜拉曼譜

          用戶友好界面控制軟件

          SI 500 D 配置選擇

          ICP-CVD 主機(jī)

          單片預(yù)真空室

          多片預(yù)真空室

          適用于 200 mm(8英寸) 的晶圓

          襯底溫度從室溫到 350?°C

          激光終點(diǎn)檢測

          備選電極偏置


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