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上海德竹芯源科技有限公司
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| 參 考 價(jià) | 面議 |
產(chǎn)品型號SI 500 PPD
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地上海
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更新時(shí)間：2024-05-15 09:23:48瀏覽次數(shù)：113次
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SI 500 PPD 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)采用經(jīng)典平行板電極設(shè)計(jì)，兼容低溫沉積工藝。
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
SI 500 PPD PECVD 采用經(jīng)典平行板電極設(shè)計(jì)，兼容低溫沉積工藝。
主要配置特點(diǎn)
● 工藝靈活性：SI 500 PPD PECVD 可在從室溫到 350℃ 的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行 SiO2、SiNx、SiOxNy 和 α-Si 的標(biāo)準(zhǔn)的等離子體化學(xué)氣相沉積工藝。
● 預(yù)真空室：SI 500 PPD PECVD 的特色是配備預(yù)真空室和干泵，用于無油、高效率化學(xué)氣相沉積過程。
● 控制軟件：SENTECH強(qiáng)大的用戶界面友好軟件，包括模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝菜單編輯窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
應(yīng)用展示
低溫沉積Si、SiO2薄膜
用戶友好控制軟件
SI 500 PPD配置選項(xiàng)
● 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積主機(jī)
● 預(yù)真空室
● 適用于大到 200mm 的晶片
● 襯底溫度：從室溫到 350?°C
● 可選低頻射頻進(jìn)一步降低應(yīng)力
● 用于沉積 TEOS 的液態(tài)前驅(qū)體解決方案
● 干泵組
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