當(dāng)前位置：上海德竹芯源科技有限公司>>半導(dǎo)體工藝設(shè)備>>SENTECH-電感耦合等離子刻蝕機 - (SI 500)

SENTECH-電感耦合等離子刻蝕機 - (SI 500)

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號SI 500

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-05-15 09:22:42瀏覽次數(shù)：82次

聯(lián)系我時，請告知來自智能制造網(wǎng)

產(chǎn)品分類 品牌分類

暫無信息

上海德竹芯源科技有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：154條

所在地區(qū)：

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA，動態(tài)溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統(tǒng)，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的 SENTECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設(shè)計特點。

詳細(xì)介紹

電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備

Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE

SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA，動態(tài)溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統(tǒng)，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場總線技術(shù)的的 SETECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設(shè)計特點?？捎糜诩庸じ鞣N各樣的襯底，從直徑高達(dá) 200 mm 的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預(yù)真空室保證穩(wěn)定的工藝條件，且切換工藝非常容易。通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不于例如三五族化合物半導(dǎo)體 (GaAs, InP, GaN, InSb)，介質(zhì)，石英，玻璃，硅和硅化合物 (SiC, SiGe)，還有金屬等。 SENTECH 提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 500 ICP 等離子刻蝕機也可用作多腔系統(tǒng)中的工藝模塊。

設(shè)備主要特點：

● 自主研發(fā)的ICP等離子源：三螺旋平行板天線 (PTSA) 等離子源是 SENTECH 等離子體工藝設(shè)備的屬性。PTSA 源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結(jié)構(gòu)。

● 高速刻蝕：對于具有高深寬比的高速硅基 MEMS 刻蝕，光滑的側(cè)壁可通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現(xiàn)。

● 低損傷刻蝕：由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用等離子體刻蝕機 SI 500 進(jìn)行低損傷刻蝕和納米結(jié)構(gòu)的刻蝕。

● 動態(tài)溫度控制：在等離子體刻蝕過程中，襯底溫度的設(shè)定和穩(wěn)定性對于實現(xiàn)高質(zhì)量蝕刻起著至關(guān)重要的作用。動態(tài)溫度控制的 ICP 襯底電極結(jié)合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在 -150°C 至 +400°C 的廣泛溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)良的工藝條件。

應(yīng)用展示：