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          行業(yè)產(chǎn)品

          • 行業(yè)產(chǎn)品

          上海德竹芯源科技有限公司


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          SENTECH-等離子刻蝕機(jī) - (SI 591)

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          參  考  價(jià)面議
          具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

          產(chǎn)品型號SI 591

          品       牌

          廠商性質(zhì)其他

          所  在  地上海

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          更新時間:2024-05-15 09:20:26瀏覽次數(shù):61次

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          產(chǎn)品簡介

          靈活性、模塊性和占地面積小是 SI 591 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。

          詳細(xì)介紹

          反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備

          Reactive Ion Etching - RIE


          SI 591 反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備是 SENTECH 設(shè)計(jì)的緊湊型模塊化刻蝕設(shè)備,具有高靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體、聚合物、介質(zhì)、金屬和硅工藝刻蝕,可配置單反應(yīng)腔體或帶預(yù)真空室和片盒站的多腔系統(tǒng),也可以升級到 CVD Cluster中。帶預(yù)真空室的設(shè)備支持使用氯基氣體。

          基于SI 591反應(yīng)離子刻蝕的CVD Cluster


          設(shè)備主要特點(diǎn)

          工藝靈活,功能齊全SI 591等離子體刻蝕設(shè)備配備高真空抽氣系統(tǒng),可適用于氯基和氟基等腐蝕性等離子蝕刻工藝。

          占地面積小且模塊化程度高:SI 591等離子體刻蝕設(shè)備單腔帶預(yù)真空室的占地面積為:655 × 1050 mm2,可配置為單個反應(yīng)腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設(shè)備,也可集成于CVD Cluster。

          SENTECH控制軟件:

          我們的等離子蝕刻設(shè)備有功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。

          預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件,使得 SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是 SI 591 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。樣品直徑可達(dá) 200 mm,通過載片器加載。

          位于頂部電極和反應(yīng)腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納 SENTECH 激光干涉儀或 OES 和 RGA 系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于 SENTECH 橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測。

          SI 591 結(jié)合了計(jì)算機(jī)控制的 RIE 平行板電極設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和預(yù)真空室系統(tǒng)。SI 591 可配置用于各種材料的刻蝕。在 SENTECH,我們提供不同級別的自動化程度,從真空片盒載片到一個工藝腔室或多達(dá)六個工藝模塊端口,可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng),目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 591 也可用作多腔系統(tǒng)中的一個工藝模塊。


          應(yīng)用展示


          介質(zhì),半導(dǎo)體,硅,金屬刻蝕

          SI 591 等離子刻蝕設(shè)備

          占地面積小的 RIE 等離子刻蝕

          預(yù)真空室

          支持鹵素和氟基氣體

          適用于 200 mm 的晶圓

          可集成原位激光干涉儀和基于OES的終點(diǎn)監(jiān)測

          關(guān)鍵詞:激光干涉儀

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