德國Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術(shù)，英飛凌可滿足具備更高功率循環(huán)的新興應(yīng)用的需求，并為提高功率密度和實現(xiàn)更高工作結(jié)溫鋪平道路。

　　英飛凌副總裁兼工業(yè)電源部總Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術(shù)，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設(shè)計和制造領(lǐng)域的技術(shù)地位。英飛凌在功率循環(huán)周次方面，樹立了行業(yè)新*，可實現(xiàn)更高的工作結(jié)溫。這些全新技術(shù)可滿足各種要求苛刻的應(yīng)用的需求，例如商用車、工程車和農(nóng)用車或風(fēng)力發(fā)電。”

　　全新.XT技術(shù)相對于現(xiàn)有技術(shù)，可使IGBT模塊的使用壽命延長10倍，或者使輸出功率提高25％。這種新技術(shù)可支持高達(dá)200°C的結(jié)溫。

　　功率循環(huán)會造成溫度變化，并導(dǎo)致IGBT模塊內(nèi)部連接部位產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力。芯片各層的熱膨脹系數(shù)不同，會造成熱應(yīng)力，導(dǎo)致材料疲勞和損壞。全新.XT技術(shù)涵蓋IGBT模塊內(nèi)部有關(guān)功率循環(huán)功能的所有關(guān)鍵點(diǎn)：芯片正面的鍵合線、芯片背面的焊接（芯片至DCB）和DCB（直接鍵合銅）至基板的焊接。

　　這種全新的連接技術(shù)經(jīng)過精心開發(fā)，可滿足英飛凌現(xiàn)有的多數(shù)封裝和全新的模塊封裝的要求。全部三種新連接技術(shù)都可是基于標(biāo)準(zhǔn)工藝，十分適用于批量生產(chǎn)。

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