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砷化鎵GaAs窗片光譜范圍2-16μm 反射44％@10.33μm 5x5mm

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產(chǎn)品型號GAASP5-5

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更新時間：2024-06-09 08:51:15瀏覽次數(shù)：93次

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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡介

砷化鎵（GaAs）窗片正方體2-16m,尺寸5x5mm總覽砷化鎵(GaAs)的生產(chǎn)采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術(shù)

詳細(xì)介紹

砷化鎵（GaAs）窗片正方體 2-16μm,尺寸5x5mm

總覽

砷化鎵(GaAs)的生產(chǎn)采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術(shù)。由于它是含砷的，應(yīng)注意處理和工作中的預(yù)防措施。砷化鎵(GaAs)晶體的化學(xué)穩(wěn)定性好，硬度高，抗惡劣環(huán)境能力強，它在2-16μm光譜范圍有很好的透過率，廣泛應(yīng)用于熱紅外成像系統(tǒng)，大功率CO2激光光學(xué)系統(tǒng)和FLIR系統(tǒng)。在現(xiàn)場環(huán)境很差，光學(xué)鏡頭或窗口需要反復(fù)擦拭的條件下，砷化鎵(GaAs)常被用來替代硒化鋅(ZnSe)作為紅外鏡頭或窗口的材料。

晶體類型

窗片

晶體規(guī)格

5 x 5 x 5mm

技術(shù)參數(shù)

傳輸范圍：	1-16μm
折射率：	3.2727 @10.33μm
反射損失：	44％@10.33μm
吸收系數(shù)：	0.01cm-1
吸收峰：	n / a
dn / dT：	147×10-6/℃ @ 10μm for derivation
dn /dμ= 0：	6.3μm
密度：	5.315g/cm3
熔點：	1511℃
熱導(dǎo)率：	48 W m-1K-1@273K
熱膨脹：	5.7×10-6/℃@300K
硬度：	Knoop 750
比熱容：	360 JKg-1K-1
介電常數(shù)：	在低頻下為12.91
楊氏模量（E）：	84.8GPa
剪切模量（G）：	n / a
體積模量（K）：	75.5GPa
彈性系數(shù)：	n / a
表觀彈性限：	71.9 MPa
泊松比：	0.31
溶解性：	不溶于水
分子量：	144.64
類/結(jié)構(gòu)：	立方ZnS，F(xiàn)43m，（100）裂解

折射率（O光）

µm	No	µm	No	µm	No
1.033	3.492	1.550	3.3737	2.066	3.338
2.480	3.324	3.100	3.3125	4.133	3.3027
4.959	3.2978	6.199	3.2921	7.293	3.2874
8.266	3.2831	9.537	3.2769	10.33	3.2727
11.27	3.2671	12.40	3.2597	13.78	3.2493
15.50	3.2336	17.71	3.2081	19.07	3.1866