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摻鍺Ge單模光纖 600-770nm 纖芯/包層直徑3.5/125um

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產(chǎn)品型號630-HP

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海市

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更新時間：2024-06-08 12:24:05瀏覽次數(shù)：60次

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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：1266條

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產(chǎn)品簡介

筱曉光子630-HP摻鍺(Ge)單模光纖600-770nm3.5/125um總覽630-HP高性能摻鍺纖芯單模光纖是針對630nm應(yīng)用進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖，適用于相關(guān)的器件制作等，例如：激光器的尾纖，耦合器等

詳細(xì)介紹

筱曉光子 630-HP 摻鍺(Ge)單模光纖 600-770nm 3.5/125um

總覽

630-HP高性能摻鍺纖芯單模光纖是針對630nm應(yīng)用進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖，適用于相關(guān)的器件制作等，例如：激光器的尾纖，耦合器等。該光纖在一致性，纖芯/包層同心度等指標(biāo)上具有更加*的性能和比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)更為嚴(yán)格的指標(biāo)，還在二階模式截止波長方面具有更為嚴(yán)格的誤差范圍，該光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性，嚴(yán)格的技術(shù)指標(biāo)性能保證能夠幫助器件生產(chǎn)商提高產(chǎn)品的良率，節(jié)約成本。

工作波長

600-770nm

技術(shù)參數(shù)

主要特性:
• 非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
• 其嚴(yán)格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復(fù)生產(chǎn)能力，一致性出色。
• 更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應(yīng)用中有更好的可靠性。

應(yīng)用域:
• 可見紅光激光二管尾纖
• 光纖耦合器
• He-Ne激光器耦合等

參數(shù)	單位	指標(biāo)
型號		630-HP
工作波長（一般情況下）	nm	600-770
模場直徑（1/e fit2- 近場）@ 630nm	um	4.0±0.5
二階模式截止波長	nm	570±30
衰減 @ 630nm	dB/km	< 12
數(shù)值孔徑（NA）	NA	0.13
彎曲損耗 (630nm, 100圈,@LTBR) 普通情況下	dB	0.001
彎曲半徑（@630nm,每100turns損耗0.05dB）普通情況下		Much Less than LTBR
包層直徑	um	125±1.5
涂覆層直徑	um	245±15
纖芯/包層同心度偏差	um	≤0.5
包層/涂覆層偏差	um	≤5
強度測試水平	kpsi	≥200 (1.4GN/m2)
涂覆層材料		UV Cured Dual Acrylate
工作溫度	℃	-55 ~ +85
短期彎曲半徑	mm	≥6
長期彎曲半徑	mm	≥13

總覽

工作波長

600-770nm

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用域:
• 可見紅光激光二管尾纖
• 光纖耦合器
• He-Ne激光器耦合等

參數(shù)	單位	指標(biāo)
型號		630-HP
工作波長（一般情況下）	nm	600-770
模場直徑（1/e fit2- 近場）@ 630nm	um	4.0±0.5
二階模式截止波長	nm	570±30
衰減 @ 630nm	dB/km	< 12
數(shù)值孔徑（NA）	NA	0.13
彎曲損耗 (630nm, 100圈,@LTBR) 普通情況下	dB	0.001
彎曲半徑（@630nm,每100turns損耗0.05dB）普通情況下		Much Less than LTBR
包層直徑	um	125±1.5
涂覆層直徑	um	245±15
纖芯/包層同心度偏差	um	≤0.5
包層/涂覆層偏差	um	≤5
強度測試水平	kpsi	≥200 (1.4GN/m2)
涂覆層材料		UV Cured Dual Acrylate
工作溫度	℃	-55 ~ +85
短期彎曲半徑	mm	≥6
長期彎曲半徑	mm	≥13