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硒化鎵晶體非線性系數(shù)54pm/V 10x10x1mm

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產(chǎn)品型號THZ-GASE-10-10-1

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廠商性質(zhì)其他

所在地上海市

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更新時間：2024-06-07 10:47:51瀏覽次數(shù)：46次

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筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

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產(chǎn)品簡介

筱曉光子硒化鎵晶體總覽GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz

詳細(xì)介紹

筱曉光子硒化鎵晶體

總覽

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負(fù)單軸層狀半導(dǎo)體晶體，擁有六邊形結(jié)構(gòu)的62m空間點(diǎn)群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因?qū)拵掌澱袷幒吞綔y使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結(jié)果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質(zhì)軟，易碎。

晶體規(guī)格

10 x 10 x 1mm

技術(shù)參數(shù)

GaSe晶體的透過率曲線

實驗室光路系統(tǒng)

EOS測量及反演結(jié)果

產(chǎn)品特點(diǎn)

● 太赫茲振蕩能達(dá)到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高

● 非線性系數(shù)大

● CO2激光的SHG