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GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體非線性系數(shù)54pm/V 5x5x1mm

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產品型號THZ-GASE-5-5-1

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廠商性質其他

所在地上海市

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更新時間：2024-06-07 10:47:46瀏覽次數(shù)：59次

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產品簡介

筱曉光子GaSe硒化鎵晶體THZ太赫茲晶體總覽GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz

詳細介紹

筱曉光子 GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體

總覽

GaSe（硒化鎵）晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域，至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體，擁有六邊形結構的62m空間點群，300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高，非線性系數(shù)大（54pm/V），非常合適的透明范圍，以及超低的吸收系數(shù)，這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源，GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取，我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。

注：GaSe晶體的解理面為(001)，因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟，易碎。

晶體類型

窗片

晶體規(guī)格

5 x 5 x 1mm

技術參數(shù)

GaSe晶體的透過率曲線

實驗室光路系統(tǒng)

EOS測量及反演結果

產品特點

● 太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域

● 抗損傷閾值高