當(dāng)前位置：筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司>>光學(xué)有源器件>>斬波器、光開關(guān)>>C波段保偏微固態(tài)磁光開關(guān) 1525-1565nm 插入損耗0.8dB

C波段保偏微固態(tài)磁光開關(guān) 1525-1565nm 插入損耗0.8dB

返回列表頁

參考價(jià)

面議

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號RFMS10-12NR1121110

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海市

在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：關(guān)嘉玉查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-06-07 10:02:48瀏覽次數(shù)：102次

聯(lián)系我時，請告知來自智能制造網(wǎng)

產(chǎn)品分類 品牌分類

暫無信息

筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：1266條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：關(guān)嘉玉

詢價(jià) 給他留言

產(chǎn)品簡介

Cband保偏微固態(tài)磁光開關(guān)1525-1565nm總覽筱曉光子的的微系列固態(tài)磁光開關(guān)是利用法拉第旋光效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)光路切換的

詳細(xì)介紹

C bａnd 保偏微固態(tài)磁光開關(guān) 1525-1565nm

總覽

筱曉光子的的微系列固態(tài)磁光開關(guān)是利用法拉第旋光效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)光路切換的。該磁光開關(guān)采用我司Zhuan利技術(shù)，不涉及機(jī)械移動部件，采用全固態(tài)晶體設(shè)計(jì)。微系列磁光開關(guān)可以滿足嚴(yán)格的開關(guān)切換要求，比如高的穩(wěn)定性和耐久性，超高速響應(yīng)和高頻率的持續(xù)工作。

我司的常規(guī)磁光開關(guān)是偏振無關(guān)型的，即使用常規(guī)的單模光纖，對入射光的偏振態(tài)不敏感。針對特殊的應(yīng)用場，我司開發(fā)了保偏型磁光開關(guān)，以滿足特定的光偏振的要求。

工作波長

1525-1565nm

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)品特點(diǎn)：

無異動部件，使用壽命長
切換速度超快
其穩(wěn)定的鎖存模式
低功耗
一端出纖-易于繞纖
具有超常的可靠性和穩(wěn)定

應(yīng)用域

● 光路切換

● 多路信號復(fù)用

● 激光雷達(dá)

● 測試測量

技術(shù)規(guī)格

參數(shù)	單位	數(shù)值		備注
參數(shù)	單位	單向	雙向	備注
工作波段范圍	nm	1525~1565		Other wavelengths available
插入損耗	dB	0.8(Typ.); 1.1 (Max.)	1.0(Typ.); 1.4(Max.)	Add 0.3dB for high-power version
偏振消光比	dB	>18
回波損耗	dB	>40	>30
串音	dB	>40	>35	Typical >50dB
重復(fù)性	dB	+/- 0.01
持久性	Cycle	> 100 Billions
開關(guān)速度	μs	Regular (200~400); Ultra-fast (10~30)		Other speed optional
Switching Type	N/A	Latching		Need power only during switching
操作溫度	Deg	-5~70
存儲溫度	deg	-40~85
大光功率	mW	500		Refer to hi-power version for higher power handling requirement
光纖類型	NA	Panda PM fiber		Customizable
尺寸( L×W×H )	mm	39 × 9.0 × 9.5

^所有指標(biāo)均為無接頭指標(biāo)，僅在以上波長，偏振和溫度范圍內(nèi)確保有效。
*若指標(biāo)有變恕不另行通知。
***for high-power version: 5W for CW laser, 70oW of peak power for ns-scale脈沖激光

尺寸規(guī)模圖(mm)

電路規(guī)格

參數(shù)	數(shù)值		單位
參數(shù)	常規(guī)	超快	單位
Switching Speed	200~400	10~30	μs
Switching Voltage (VCC)	5 (+/-5%)	6.0~7.0	V
Switching Current	< 100	< 350	mA
Driving Mode	Voltage or Pulse Driving	Pulse Driving	NA
Pulse Width	>1000	>20	μs
Claim Frequency	<800	< 3000	Hz