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富泰微科學儀器（上海）有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產品型號
品 牌
廠商性質其他
所 在 地上海市
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更新時間：2024-06-17 12:05:39瀏覽次數(shù)：142次
聯(lián)系我時，請告知來自 智能制造網(wǎng)產品介紹 高性能與高靈活性兼?zhèn)洹癊thos"采用日立高新的核心技術--的高亮度冷場發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復合透鏡，不但可以在低加速電壓下實現(xiàn)高分辨觀察，還可以在FIB加工時實現(xiàn)實時觀察。
產品介紹：
高性能與高靈活性兼?zhèn)?/span>
“Ethos"采用日立高新的核心技術--的高亮度冷場發(fā)射電子槍及新研發(fā)的電磁復合透鏡，不但可以在低加速電壓下實現(xiàn)高分辨觀察，還可以在FIB加工時實現(xiàn)實時觀察。
SEM鏡筒內標配3個探測器，可同時觀察到二次電子信號的形貌像以及背散射電子信號的成分襯度像；可非常方便的幫助FIB找尋到納米尺度的目標物，對其觀察以及加工分析。
另外，全新設計的超大樣品倉設置了多個附件接口，可安裝EDS*1和EBSD*2等各種分析儀器。而且NX5000標配超大防振樣品臺，可全面加工并觀察直徑為150mm的樣品。
因此，它不僅可以用于半導體器件的檢測，而且還可以用于從生物到鋼鐵磁性材料等各種樣品的綜合分析。
產品特點：
核心理念
1. 搭載兩種透鏡模式的高性能SEM鏡筒
HR模式下可實現(xiàn)高分辨觀察（半內透鏡）
FF模式下可實現(xiàn)高精度加工終點檢測（Timesharing Mode）
可通過高電流密度FIB實現(xiàn)快速加工（束流100nA）
用戶可根據(jù)自身需求設定加工步驟
運用ACE技術（加工位置調整）抑制Curtaining效應
控制離子束的入射角度，制備厚度均勻的薄膜樣品
采用低加速（Ar/Xe）離子束，實現(xiàn)低損傷加工
去除鎵污染
多接口樣品倉（大小接口）
超大防振樣品臺（150 mm□）
*3 選配
高性能SEM鏡筒
Ethos搭載的SEM配有兩種透鏡模式。HR模式可將樣品置于透鏡磁場之中，實現(xiàn)樣品的高分辨觀察。FF模式可在最短10nsec內切換FIB照射與SEM觀察。用戶可在高速幀頻下觀察SEM圖像的同時，進行FIB加工，因此，可輕松判斷截面的加工終點。NX5000采用電磁復合透鏡，即使在FF模式下也可保持高分辨觀察。
高分辨SEM觀察實例
高性能FIB鏡筒
通過高電流密度FIB可實現(xiàn)快速加工、廣域加工、多處自動加工等
分時掃描模式
在FIB、Ar/Xe離子束照射時，可實時或分時觀察SEM圖像
采用Cut & See模式可實現(xiàn)三維重構
抑制FIB加工損傷的高質量TEM樣品制備
采用低加速氬離子束以及高電流密度FIB，可實現(xiàn)快速加工、廣域加工以及多處自動加工等
在制備極薄樣品時，必須采用廣域且低損傷的加工方法。
Ethos采用樣品加工位置調整與低加速氬離子束精加工相結合的ACE技術，可制備出高質量的TEM薄膜樣品。
ACE: Anti Curtaining Effect
GUI設計進一步提升了視覺美觀和響應速度
超大樣品倉支持各種用途
■ 配置支持高分辨觀察的防振樣品臺
■ 設置多種接口，可加裝更多的選配附件，實現(xiàn)多種樣品加工、觀察以及分析
產品規(guī)格：
| 項目 | 內容 | |
| FIB | 二次電子像分辨率（C.P） | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
| 加速電壓 | 0.5 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 0.05 pA – 100 nA | |
| 離子源 | GA液體金屬離子源 | |
| SEM | 二次電子像分辨率（C.P） | 1.5 nm @ 1 kV、0.7 nm @ 15 kV |
| 加速電壓 | 0.1 kV – 30 kV | |
| 探針電流范圍 | 5 pA – 10 nA | |
| 電子槍 | 冷場場發(fā)射電子槍 | |
| 標準探測器 | In-Column二次電子探測器 SE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（U） In-Column背散射電子探測器 BSE（L） Chamber二次電子探測器 SE（L） | |
| 驅動范圍（5軸反饋控制） | X | 155 mm |
| Y | 155 mm | |
| Z | 16.5 mm | |
| R | 0 - 360° 旋轉 | |
| T | -10～59° | |
| 樣品尺寸 | 直徑 150 mm | |
| 選配 | Ar/Xe離子束系統(tǒng) Micro Sampling System 氣體注入系統(tǒng)（雙室或三室貯氣筒）
連續(xù)自動加工軟件 連續(xù)A-TEM2 各種樣品桿 EDS（能譜儀） EBSD（電子背散射衍射） | |
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