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更新時間：2024-06-28 07:38:35瀏覽次數(shù)：124次
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1.設(shè)備用途本設(shè)備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機(jī)化合物、納米材料等在真空或保護(hù)氣氛的條件下進(jìn)行加壓加熱燒結(jié)處理，以便獲得高致密度的產(chǎn)品，例如生產(chǎn)高精度氮化硅陶瓷軸承等
1. 設(shè)備用途
本設(shè)備主要供大專院校、科研單位等針對金屬化合物、陶瓷、無機(jī)化合物、納米材料等在真空或保護(hù)氣氛的條件下進(jìn)行加壓加熱燒結(jié)處理，以便獲得高致密度的產(chǎn)品，例如生產(chǎn)高精度氮化硅陶瓷軸承等。
2. 方案圖
3. 主要技術(shù)參數(shù)
3.1 電源：三相 380V 50Hz
3.2 額定加熱功率：15Kw
3.3 工作溫度：1800℃
3.4 工作區(qū)尺寸：100*100（D*H，mm）
3.5 控溫區(qū)數(shù)：一區(qū)
3.6 控溫方式：鎢錸熱電偶
3.7 控溫精度：±1℃
3.8 冷態(tài)極限真空度：6.67*10-3Pa（空爐、冷態(tài)、烘烤除氣后）
3.9 壓升率：4Pa/h
3.10 充氣氣氛：惰性氣體
3.11 充氣壓力（微正壓）：≤0.03MPa
3.12 壓力：10T（數(shù)顯、自動調(diào)壓、自動保壓、伺服電動缸）
3.13 壓頭直徑：Ф85 mm
3.14 壓力波動：≤±100N，位移精度≥0.01mm
3.15 壓力行程：0～100mm（數(shù)顯）
3.16 壓力控制：伺服電動控制（伺服電機(jī)控制）
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