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更新時(shí)間：2022-10-14 11:58:18瀏覽次數(shù)：310次
聯(lián)系我時(shí)，請(qǐng)告知來(lái)自 智能制造網(wǎng)用于SEM的納米壓痕儀----深度傳感的納米力學(xué)測(cè)試儀器,可與掃描電子顯微鏡(SEM)聯(lián)用，原位納米力學(xué)測(cè)試儀器
Hysitron PI 85L
布魯克的SEM PicoIndenter系列是深度感應(yīng)的納米力學(xué)測(cè)試系統(tǒng)，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于與掃描電子顯微鏡（SEM、FIB/SEM）的高級(jí)成像能力聯(lián)用。有了這些系統(tǒng)，可以進(jìn)行定量納米力學(xué)測(cè)試，同時(shí)使用SEM進(jìn)行成像。Hysitron PI 85L SEM PicoIndenter 是一款專(zhuān)用的原位納米力學(xué)測(cè)試儀器，專(zhuān)為 SEM 使用而設(shè)計(jì)，但也適用于各種平臺(tái)和環(huán)境。該儀器采用布魯克電容式傳感器與極快的 78 kHz 控制系統(tǒng)配合使用，在納米尺度下提供的性能和穩(wěn)定性。緊湊的小尺寸設(shè)計(jì)使該系統(tǒng)非常適合腔體、拉曼和光學(xué)顯微鏡、同步輻射光束線等。
一、亮點(diǎn)
1）------性能、穩(wěn)定性和控制
提供超低噪音水平、極快的反饋控制和專(zhuān)有的 Q 控制軟件，用于主動(dòng)抑制振動(dòng)。
2）多功能------原位力學(xué)測(cè)試平臺(tái)
支持各種幾何尺寸樣品的的力學(xué)測(cè)試模式、多種控制模式和可更換壓頭。
3）緊湊------緊湊設(shè)計(jì)
為小腔室 SEM、拉曼和光學(xué)顯微鏡、光束線等提供易于安裝的理想系統(tǒng)。
二、特點(diǎn)
1）專(zhuān)為高性能和多功能性而設(shè)計(jì)
Hysitron PI 85L 的樣品臺(tái)設(shè)計(jì)能容納厚度達(dá) 10 mm 的樣品，同時(shí)提供三個(gè)方向 （XYZ） 3 mm 范圍的精確樣品定位。此外，樣品和傳感器的機(jī)械耦合為納米力學(xué)測(cè)試提供了一個(gè)穩(wěn)定、剛性的平臺(tái)?？傊@種設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)的傾斜度和最小工作距離，在測(cè)試期間實(shí)現(xiàn)成像效果。
2）與 SEM 成像同步的原位力學(xué)數(shù)據(jù)
使用 Hysitron PI 85L 采集的原位力學(xué)數(shù)據(jù)與 SEM 成像同步，且并排顯示。同時(shí)進(jìn)行機(jī)械測(cè)量和SEM成像可全面了解材料變形行為。
3）精確使用各種模式探索材料變形行為
Hysitron PI 85L 可采用多種不同模式，在各種不同樣品中測(cè)試基本力學(xué)性能、應(yīng)力應(yīng)變行為、剛度、斷裂韌性和變形機(jī)制。
除了標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試模式外，PI 85L 還可以升級(jí)，并可使用可選模式進(jìn)一步擴(kuò)展其功能。從加熱選項(xiàng)到電特性，PI 85L 可根據(jù)您的需求進(jìn)行調(diào)整。
三、附件
提供泛的創(chuàng)新表征技術(shù)------選項(xiàng)和附件
1） SEM 和 TEM 加熱臺(tái)------直接測(cè)量和觀察熱導(dǎo)致的材料轉(zhuǎn)化；
2） 納米動(dòng)力學(xué)模式------施加振蕩力，持續(xù)測(cè)量粘彈性和疲勞特性，作為接觸深度、頻率和時(shí)間的函數(shù)
3）電學(xué)特性模塊(ECM)------在納米壓痕、壓縮或拉伸加載期間同時(shí)進(jìn)行原位電特性測(cè)量
4）壓轉(zhuǎn)拉模塊(PTP)------專(zhuān)為納米線和獨(dú)立薄膜而設(shè)計(jì)
四、相關(guān)圖片
1）經(jīng)過(guò)如圖所示的力學(xué)測(cè)試后，在Cu互聯(lián)層和脆電介質(zhì)層之間觀察到面間分層
2）高熵合金三個(gè)不同結(jié)構(gòu)微區(qū)的納米壓痕成像和對(duì)應(yīng)的載荷-位移曲線（僅顯示低載荷部分）
3）在室溫（左上）和 800℃（右上）環(huán)境中粘結(jié)涂層柱子壓縮后的形貌。在室溫下測(cè)試的柱子中可以清楚地看到穿晶破裂，而在高溫下才出現(xiàn)晶間破裂。應(yīng)力應(yīng)變曲線（下圖）表明在室溫下有較大的應(yīng)變硬化，而在較高的溫度下更為有限
4）金屬薄膜 1 Hz 動(dòng)態(tài)載荷測(cè)試中應(yīng)用的載荷振幅（紅色）和總位移（藍(lán)色）的圖示
5）壓縮VLS法生長(zhǎng)的n型摻雜的硅納米柱時(shí)的電學(xué)表征。 D.D. Stauffer 博士論文，“納米級(jí)脆性材料的變形機(jī)理"，明尼蘇達(dá)大學(xué)（2011），第 150-152 頁(yè)
6）加載/卸載與位移的曲線（左），以及 PTP 裝置偏轉(zhuǎn)下位移和加載與時(shí)間的曲線（右）。其中線性彈性行進(jìn)距離大于 4 μm
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