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日本DNK科研曝光機(jī)MA-4000光刻機(jī)

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更新時(shí)間：2023-07-24 15:50:12瀏覽次數(shù)：580次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  SIBATA柴田

分析機(jī)器
  OTSUKA大冢電子

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膜厚儀

分光計(jì)測(cè)機(jī)器

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檢查設(shè)備/多任務(wù)機(jī)/周邊設(shè)備
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  Marktec碼科泰克。

熒光滲透探傷儀
  marktec碼科泰克

UV探傷儀

滲透檢測(cè)設(shè)備

磁粉探測(cè)器
  Tokyokoden東京光電

火焰光度計(jì)
  TSUBOSAKA壺坂

照度計(jì) 光量計(jì)
  DNK科研

光刻機(jī) 曝光機(jī)
  MIKASA旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)單介紹：主要特長采用獨(dú)自的平行調(diào)整機(jī)構(gòu),能夠高精度地設(shè)定掩膜與Wafer間的近接間隙。利用獨(dú)自的高速圖像處理技術(shù),實(shí)現(xiàn)高精度的對(duì)位。利用圖像處理技術(shù),使預(yù)對(duì)位可對(duì)應(yīng)薄型基板或翹曲基板及水晶等易碎Wafer(選購項(xiàng))。利用獨(dú)自的接觸壓力精密控制機(jī)構(gòu),能夠使Wafer與掩膜高精度地接觸。通過Wafer的背面真空吸著方式,實(shí)現(xiàn)高速度和高精度以及穩(wěn)定的自動(dòng)搬送

詳細(xì)介紹

詳情介紹：

光刻機(jī)介紹

曝光裝置 MA-1200 基板追大尺寸 200 x 200mm ?4″ ～ ?6″

光源超高壓水銀燈：500W or 1kW

曝光裝置 MA-1400 基板追大尺寸400 x 400mm

光源超高壓水銀燈：2kW or 3.5kW

LED,LN曝光裝置MA-4000 圓晶尺寸?2～4″或者?4～6″

光源超高壓汞燈：500W 或 1kW

?200mm/?150 mm 對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-4301M 材料SI 玻璃， 對(duì)齊精度自動(dòng)對(duì)齊：+/- 1 μm（
峰值搜索）

?300mm對(duì)應(yīng)曝光裝置MA-5301ML 光源超高壓汞燈：3.5kW ?200mm規(guī)格也可對(duì)應(yīng)

マスクレス露光裝置MX-1201 曝光掃描速度43.94mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）245/70/245+70
マスクレス露光裝置MX-1201E 曝光掃描速度22.5mm/s 有效曝光區(qū)域200 x 200 追大曝光量（※3）460/70135

マスクレス露光裝置MX-1205 曝光掃描速度9/4.5mm/s 有效曝光區(qū)域100 x 100 追大曝光量（※3）100/50

主要規(guī)格

		MA-4000
Wafer尺寸		?2～4″	?4～6″
掩膜尺寸		□5″	□7″
光源		超高壓水銀燈：500W or 1kW
外觀尺寸及重量	本體尺寸	W1340 x D1430 x H1900mm
外觀尺寸及重量	本體重量	1120kg
選購項(xiàng)		生產(chǎn)管理系統(tǒng)(D-Net)、背面對(duì)位、○□基板兼用