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更新時(shí)間：2022-10-15 10:13:55瀏覽次數(shù)：209次
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日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500，其Z大的特點(diǎn)是可以進(jìn)行原位實(shí)時(shí)觀(guān)察。相比于普通的透射電鏡，H-9500可以實(shí)現(xiàn)樣品在不同條件（如氣體、加熱等）刺激下的原位觀(guān)察，同時(shí)保證高分辨率。同樣，相比于樣品桿原位觀(guān)察的透射電鏡，H-9500的樣品操作空間大，無(wú)需擔(dān)心樣品桿密封倉(cāng)的破損，分辨率受環(huán)境的影響小，可以實(shí)現(xiàn)多種氣體的高效率觀(guān)察，是真正意義上的原位環(huán)境透射電鏡。
日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500
產(chǎn)品介紹：
H-9500是一款300kV原位環(huán)境透射電鏡，其zui大的特點(diǎn)是可以進(jìn)行原位實(shí)時(shí)觀(guān)察。相比于普通的透射電鏡，H-9500可以實(shí)現(xiàn)樣品在不同條件（如氣體、加熱等）刺激下的原位觀(guān)察，同時(shí)保證高分辨率。同樣，相比于樣品桿原位觀(guān)察的透射電鏡，H-9500的樣品操作空間大，無(wú)需擔(dān)心樣品桿密封倉(cāng)的破損，分辨率受環(huán)境的影響小，可以實(shí)現(xiàn)多種氣體的高效率觀(guān)察，是真正意義上的原位環(huán)境透射電鏡。
日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500主要特點(diǎn)：
高效快捷的數(shù)字化電子顯微鏡
5分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)300kV高壓下電子束發(fā)射(自動(dòng)模式)，1分鐘換樣時(shí)間。
快慢雙模式照相系統(tǒng)
可選配電子直接成像相機(jī)，滿(mǎn)足高速原位觀(guān)察
穩(wěn)定可靠的5軸樣品臺(tái)低速或高速樣品臺(tái)
樣品位置記憶追蹤功能
優(yōu)秀的擴(kuò)展性
FIB擴(kuò)展夾具、3D樣品桿(選件)
圖片數(shù)據(jù)庫(kù)
易于操作的Windows圖形操作界面
技術(shù)參數(shù)：
| 項(xiàng)目 | 主要參數(shù) |
| 電子槍 | LaB6電子槍 |
| 加速電壓 | 300kV、200kV* |
| 點(diǎn)分辨率 | 0.18nm |
| 線(xiàn)分辨率 | 0.10nm |
| 放大倍率 | 低倍：200x - 500x |
| 觀(guān)察：1,000x – 1,500,000x | |
| 選區(qū)：4,000x – 500,000x | |
| 照射系統(tǒng) | 透鏡：四級(jí)透鏡；光闌：4孔 |
| 成像系統(tǒng) | 透鏡：五級(jí)透鏡；物鏡光闌：4孔；選區(qū)光闌：4孔 |
| 樣品桿 | 5軸雙傾樣品桿，α=β=±15°或更大 |
應(yīng)用領(lǐng)域：
H-9500作為一款真正意義上的原位環(huán)境透射電鏡，其主要應(yīng)用集中在原位環(huán)境觀(guān)察上，如各類(lèi)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的觀(guān)察，同種材料不同相態(tài)之間轉(zhuǎn)變過(guò)程的觀(guān)察，各類(lèi)納米器件工作原理的實(shí)時(shí)觀(guān)察等。因此，H-9500適用于催化劑、燃料電池、納米材料及環(huán)境安全、氣敏元器件、地球化學(xué)材料等多個(gè)領(lǐng)域。
應(yīng)用文章：
[1] Xie1, D. G., Wang1, Z. J., Sun1, J., Li1-3, J., Ma1-4, E., & Shan1, Z. W. In situ study of the initiation of hydrogen bubbles at the aluminium metal/oxide interface. Nature Materials, 2015, DOI: 10.1038/NMAT 4336.
[2] Jiang1, Y., Wang1, Y., Zhang2, Y. Y., Zhang1, Z. F., Yuan1, W. T., Sun3, C. H., Wei1, X., Brodsky4, C. N., Tsung4, C. K., Li1, J. X., Zhang5, X. F., Mao6, S. X., Zhang2, S. B. & Zhang1, Z. Direct observation of Pt nanocrystal coalescence induced by electron-excitation-enhanced van der Waals interactions. Nano Research, 2014, 7(3), 308-314.
[3] Peng, H. L., Chan, C. K., Meister, S., Zhang, X. F. & Cui, Y. Shape Evolution of Layer-Structured Bismuth Oxychloride Nanostructures via Low-Temperature Chemical Vapor Transport. Chem. Mater. 2009, 21, 247-252.
[4] Vlier1, D. F., Wang1, C., Tripkovic1, D., Strmcnik1, D., Zhang2, X. F., Debe3, M. K., Atanasoski3, R. T., Markovic1, N. M. & Stamenkovic1, V. R. Mesostructured thin films as electrocatalysts with tunable composition and surface morphology. Nature Materials, 2012, 11, 1051-1058.
[5] Huo, Z. Y., Tsung, C. K., Huang, W. Y., Zhang, X. F. & Yang, P. D. Sub-Two Nanometer Single Crystal Au Nanowires. Nano Lett., 2008, 8, 2041-2044.
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