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      用于電子電器零組件、自動化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、電子芯片IC、半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化，測試其材料對高、低溫的反復抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出的化學變化或物理傷害；

主要技術(shù)參數(shù)

工作室規(guī)格：80L~1000L 定制

1、高溫室：

(1)預熱溫度范圍：+60℃～+200℃

(2)升溫時間：+60℃→+200℃ ≤20min（高溫室單獨運轉(zhuǎn)時的性能）；

2、低溫室：

(1)預冷溫度范圍：-78℃～0℃

(2)降溫時間：+20℃ →-75℃≤75 min（低溫室單獨運轉(zhuǎn)時的性能）；

3、試驗室：

（1）、高溫曝露溫度范圍：+60℃～+150℃

（2）、低溫曝露溫度范圍：-55℃～-10℃

（3）、溫度波動度：1.0℃；

（4）、溫度偏差：±2.0℃；

4、溫度恢復性能：

(1)溫度恢復時間：≤5min

(2)恢復條件：

   高溫曝露：+150℃  30分鐘

   環(huán)境溫度曝露：<———>

   低溫曝露：-55℃  30分鐘

主要系統(tǒng)構(gòu)成
送分循環(huán)系統(tǒng)，加熱系統(tǒng)，冷凍系統(tǒng)，電路控制系統(tǒng)，安全保護系統(tǒng)等

選配項：（有線/無線）通訊，防爆型

使用環(huán)境條件
溫度：0～35℃
大氣壓：86～106Kpa
相對濕度：≤85%RH
周圍無強烈振動，無陽光直接照射或其它熱源直接輻射，無強烈電磁場影響，無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)，場地通風良好。

滿足標準
GJB/150.5-2009      溫度沖擊試驗
GB/T2423.1-2008    電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法  試驗A：低溫
GB/T2423.2-2008    電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法  試驗B：高溫
GB/T2423.22-2012  電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分：試驗方法  試驗N：溫度變化
GB/T 10589-2008    低溫試驗箱技術(shù)條件
GB/T 10592-2008    高低溫試驗箱技術(shù)條件
GB/T 11158-2008    高溫試驗箱技術(shù)條件
GB/T 5170.2-2008   電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法 溫度試驗設(shè)備

備注：